SK hynix инвестирует $38 млрд в новые фабрики для удовлетворения спроса на ИИ-память

SK hynix делает еще одну масштабную ставку на искусственный интеллект. В пятницу южнокорейский гигант памяти утвердил новые производственные инвестиции в размере 54 трлн вон (около $38 млрд), разрешив строительство двух новых чиповых фабрик, которые расширят производство микросхем памяти, питающих ИИ-системы. Этот шаг отражает веру компании в то, что спрос на ИИ-инфраструктуру останется высоким в течение многих лет и что именно память, а не процессоры, остается главным ограничением отрасли.

Это объявление следует за рекордными квартальными результатами, которые продемонстрировали важность высокоскоростной памяти (HBM) в текущем буме искусственного интеллекта. Согласно предыдущему сообщению Cryptopolitan, SK Hynix отчиталась о выручке в размере 79,3 трлн вон во втором квартале и чистой прибыли в 60,5 трлн вон из-за растущего спроса на технологию HBM. Компания начала крупные поставки чипов HBM4, чтобы сохранить своё лидерство в области памяти для ИИ.

Эта инвестиция имеет решающее значение для компаний, производящих ИИ-чипы и облачные сервисы, поскольку сложные устройства-ускорители полагаются на интеграцию нескольких стеков HBM рядом с чипами с использованием передовых технологий упаковки, таких как CoWoS от TSMC. Простое увеличение производства GPU-чипов не поможет, если HBM-память не будет доступна в достаточном объеме.

Согласно отчету, опубликованному Omdia, на долю памяти, вероятно, придется более 50% мировой выручки рынка полупроводников к 2026 году из-за возросшего спроса на DRAM и NAND в связи с ИИ. TrendForce утверждает, что предложение DRAM и HBM останется ограниченным как минимум до 2027 года, поскольку возможности передовой упаковки будут ограничены, несмотря на несколько отраслевых разработок.

SK hynix поставляет HBM-память компании Nvidia и другим производителям ИИ-ускорителей, поэтому её производственные планы становятся ключевым индикатором скорости расширения ИИ-инфраструктуры. Эта инвестиция следует за недавним отчетом Cryptopolitan о сотрудничестве на $500 млрд между генеральным директором Nvidia Дженсеном Хуангом и группой SK, что демонстрирует растущее значение производства памяти.

Куда пойдут 54 трлн вон

SK hynix объявила, что 35,2 трлн вон будет выделено на строительство фабрики DRAM Y2 в Йонгине. В то же время 19,1 трлн вон будет использовано для строительства фабрики NAND-флеш M17 на территории кампуса в Чхонджу. Ожидается, что совокупные инвестиции составят около $38 млрд.

Эти проекты являются неотъемлемой частью более широких планов SK hynix по развитию. Компания уже выделила 600 трлн вон на Кластер полупроводников в Йонгине и еще 100 трлн вон на расширение Чхонджу, а строительство соседней фабрики Y1 уже ведется.

Компания предпринимает шаги для укрепления своих позиций в сфере ИИ-памяти. По данным Memory Tracker от Counterpoint Research, в первом квартале 2026 года SK hynix получила 58% мировой выручки от HBM, за ней следуют Samsung (21%) и Micron (21%).

HBM теперь является одним из редких материалов в ИИ-индустрии. В отличие от обычной DRAM, она использует технологию стекирования, технологию сквозных кремниевых переходов (TSV) и сложную технологию упаковки, что делает её крайне сложной в производстве.

Согласно прогнозам Omdia, в 2026 году отрасль полупроводников вырастет на 94,1% благодаря спросу на NAND и DRAM, связанному с ИИ.

Дефицит предложения уже начал влиять на планы по разработке продуктов. Например, Nvidia теперь рассматривает решения 8-Hi HBM и HBM4 для своего следующего ускорителя Rubin Ultra вместо ранее запланированного 12-Hi HBM4e из-за опасений, что снижение доступности DRAM в 2027 году может затруднить производство модулей HBM.

Эта динамика означает, что поставщики памяти все больше контролируют скорость вывода ИИ-оборудования на рынок. Увеличение емкости памяти приводит к росту поставок ускорителей, тогда как дефицит памяти вынуждает производителей пересматривать дизайн своих продуктов в зависимости от доступного объема памяти.

Что будут строить заводы и когда

Аналитики прогнозируют сохранение условий жесткого предложения, так как пройдет несколько лет, прежде чем новые фабрики начнут работу.

По данным SK hynix, фабрика Y2, как ожидается, будет производить как продукты HBM, так и продукты DRAM следующего поколения. Строительство начнется в июле 2027 года, а чистые помещения должны быть готовы к июню 2029 года. Торжественная закладка фундамента фабрики M17 состоится в феврале 2027 года, а её чистые помещения будут готовы к декабрю 2028 года.

По данным SK hynix, эта инвестиция служит основой для перехода, который, как ожидается, займет время, а не является краткосрочной ИИ-тенденцией. Компания указывает, что, согласно прогнозам Omdia, она увидит рост глобального спроса на DRAM и NAND со среднегодовым темпом 19% до 2030 года, что подтверждает веру SK hynix в актуальность массового производства памяти для конкурентной борьбы в эпоху искусственного интеллекта.