Компания SK hynix инвестирует 38 миллиардов долларов в новые заводы по производству микросхем для удовлетворения спроса на память для искусственного интеллекта
- Компания SK hynix одобрила инвестиции в размере 54 триллиона вон (38 миллиардов долларов) на строительство двух новых заводов по производству микросхем, что позволит расширить производство памяти для искусственного интеллекта на фонеtronспроса на HBM.
- Компания инвестирует 35,2 триллиона вон в завод по производству DRAM-памяти Y2 и 19,1 триллиона вон в завод по производству NAND-памяти M17, начало производства ожидается в 2028–2029 годах.
- Компания SK hynix лидирует на рынке HBM с долей выручки в 58%, поставляя память Nvidia и другим производителям чипов для искусственного интеллекта в условиях сохраняющегося дефицита памяти.
Компания SK hynix делает еще одну масштабную ставку на искусственный интеллект. В пятницу южнокорейский гигант по производству памяти одобрил инвестиции в размере 54 триллионов вон (около 38 миллиардов долларов) в новые производственные мощности, санкционировав строительство двух новых заводов по выпуску микросхем памяти, которые расширят производство чипов памяти, используемых в системах искусственного интеллекта. Этот шаг отражает убеждение компании в том, что спрос на инфраструктуру для ИИ останетсяtronв течение многих лет, и что память, а не процессоры, остается самым большим ограничивающим фактором для отрасли.
Это объявление последовало за рекордными квартальными результатами, которые продемонстрировали важность высокоскоростной памяти (HBM) в нынешнем буме искусственного интеллекта. Согласно предыдущему отчету Cryptopolitan CryptopolitanSK Hynix во втором квартале составила 79,3 триллиона вон , а чистая прибыль — 60,5 триллиона вон благодаря растущему спросу на технологию HBM. Компания начала крупные поставки чипов HBM4, чтобы сохранить свое лидерство в области памяти для ИИ.
Эти инвестиции имеют решающее значение для компаний, производящих чипы для искусственного интеллекта и облачные сервисы, поскольку сложные ускорительные устройства используют несколько стеков памяти HBM, интегрированных рядом с чипами с помощью передовых технологий упаковки, таких как CoWoS от TSMC. Простое увеличение производства чипов GPU не поможет, если памяти HBM недостаточно.
Согласно отчету Omdia, к 2026 году на долю памяти, вероятно, будет приходиться более 50% выручки мирового рынка полупроводников из-за возросшего спроса на DRAM и NAND в связи с развитием искусственного интеллекта. TrendForce утверждает, что предложение DRAM и HBM останется ограниченным как минимум до 2027 года, поскольку возможности для передовой упаковки будут ограничены, несмотря на ряд общеотраслевых разработок.
SK hynix поставляет память HBM компании Nvidia и другим производителям ускорителей ИИ, а это значит, что ее производственные планы становятся ключевым показателем скорости расширения инфраструктуры ИИ. Эти инвестиции следуют за Cryptopolitanо заявлении генерального директора Nvidia Дженсена Хуанга о сотрудничестве с SK Group на сумму 500 миллиардов долларов , что демонстрирует растущую значимость производства памяти.
Куда пойдут 54 триллиона вон?
Компания SK hynix объявила о выделении 35,2 триллионов вон на строительство завода по производству DRAM-памяти Y2 в Йонгине. Одновременно 19,1 триллиона вон будет использовано на строительство завода по производству флэш-памяти NAND M17 на территории кампуса в Чхонджу. По оценкам, общая сумма инвестиций составит около 38 миллиардов долларов.
Эти проекты являются неотъемлемой частью более масштабных планов развития SK hynix. Компания уже инвестировала 600 триллионов вон в полупроводниковый кластер Йонгин и еще 100 триллионов вон в расширение завода в Чхонджу, а строительство соседнего завода Y1 уже ведется.
Компания предпринимает шаги для укрепления своих позиций на рынке памяти для ИИ. Согласно данным Memory Tracот Counterpoint Research, в первом квартале 2026 года на долю SK hynix приходилось 58% мировой выручки от продаж HBM-памяти, за ней следовали Samsung (21%) и Micron (21%).
HBM в настоящее время является одним из редких материалов в индустрии искусственного интеллекта. В отличие от обычных материалов для DRAM, он использует технологию многослойной компоновки, технологию сквозных кремниевых соединений (TSV) и сложную технологию упаковки, что делает его чрезвычайно трудным в изготовлении.
Согласно прогнозам Omdia, к 2026 году полупроводниковая промышленность вырастет на 94,1%, чему будет способствовать спрос на NAND и DRAM, связанный с развитием искусственного интеллекта.
Дефицит поставок уже начал влиять на планы разработки продуктов. Например, Nvidia сейчас рассматривает 8-Hi HBM и HBM4 для своего следующего ускорителя Rubin Ultra вместо ранее запланированных 12-Hi HBM4e из-за опасений, что сокращение доступности DRAM в 2027 году может помешать производству модулей HBM.
Эта динамика означает, что поставщики памяти все больше контролируют скорость выхода на рынок аппаратного обеспечения для ИИ. Увеличение объема памяти приводит к росту поставок ускорителей, в то время как дефицит памяти вынуждает производителей пересматривать конструкцию своей продукции в соответствии с доступным объемом памяти.
Что будут строить растения и когда
Аналитики прогнозируют сохранение ужесточения условий предложения, поскольку до ввода в эксплуатацию новых заводов пройдет несколько лет.
По данным SK hynix, на заводе Y2 планируется производить как микросхемы HBM, так и микросхемы DRAM следующего поколения. Строительство начнётся в июле 2027 года, а чистая комната будет готова к июню 2029 года. Начало строительства завода M17 запланировано на февраль 2027 года, а его чистая комната будет готова к декабрю 2028 года.
По данным SK hynix, эти инвестиции закладывают основу для перехода, который, как ожидается, займет время, а не станет лишь кратковременной тенденцией в области искусственного интеллекта. Компания указывает, что, согласно прогнозам Omdia, к 2030 году ожидается среднегодовой темп роста мирового спроса на DRAM и NAND на уровне 19%, что подтверждает уверенность SK hynix в важности массового производства памяти для конкурентного преимущества в эпоху искусственного интеллекта.
Если вы это читаете, значит, вы уже впереди. Оставайтесь на шаг впереди, подписавшись на нашу рассылку.
Часто задаваемые вопросы
В какие суммы и куда инвестирует SK hynix?
По данным Bloomberg, компания SK hynix одобрила выделение около 54 триллионов вон, что составляет примерно 38 миллиардов долларов, из которых 35,2 триллиона вон предназначены для завода по производству DRAM-памяти Y2 в Йонгине и 19,1 триллиона вон — для завода по производству NAND-памяти M17 в Чхонджу, Корея.
Когда новые заводы начнут производство микросхем?
Согласно информации от SK hynix, строительство Y2 начнётся в июле 2027 года, а открытие первого чистого помещения запланировано на июнь 2029 года, в то время как строительство M17 начнётся в феврале 2027 года, а открытие чистого помещения запланировано на декабрь 2028 года.
Почему это важно для индустрии искусственного интеллекта?
Наибольшим ограничением для аппаратного обеспечения ИИ является объем памяти: по прогнозам Omdia, на долю микросхем памяти будет приходиться более половины выручки полупроводниковой отрасли в 2026 году, а поставки HBM ограничены всего тремя производителями, поэтому увеличение производственных мощностей от SK hynix напрямую повлияет на количество систем ИИ, которые сможет создать отрасль.
Предупреждение. Предоставленная информация не является торговой рекомендацией. Cryptopolitanнастоятельно не несет ответственности за любые инвестиции, сделанные на основе информации, представленной на этой странице. Мыtronпровести независимоеdent и/или проконсультироваться с квалифицированным специалистом, прежде чем принимать какие-либо инвестиционные решения.
Ашиш Кумар
Ашиш Кумар — крипто- и финансовый журналист с восьмилетним опытом работы в новостной редакции. Он освещает события на криптовалютных рынках, вопросы регулирования, DeFiи экосистемы бирж. Он сотрудничал с Coingape, Todayq и Newsroompost. Ашиш имеет диплом PGDP по английской журналистике от IIMC. Он также брал интервью у таких деятелей индустрии, как Артур Хейс, Ят Сиу, Остин Федера и других.
