SK hynixراهن بمبلغ 38 مليار دولار على مصانع جديدة لتلبية طلب ذاكرة الذكاء الاصطناعي

تقوم SK hynix برهان ضخم آخر على الذكاء الاصطناعي. وافق عملاق الذاكرة الكوري الجنوبي يوم الجمعة على استثمارات تصنيع جديدة بقيمة 54 تريليون وون (حوالي 38 مليار دولار)، مما يرخّص بإنشاء مصنعين جديدين للرقائق سيوسعان إنتاج شرائح الذاكرة التي تغذي أنظمة الذكاء الاصطناعي. يعكس هذا الخطوة اعتقاد الشركة بأن الطلب على البنية التحتية للذكاء الاصطناعي سيظل قوياً لسنوات – وأن الذاكرة، وليس المعالجات، لا تزال أكبر قيد في الصناعة.

يأتي هذا الإعلان في أعقاب نتائج ربع سنوية قياسية أظهرت أهمية ذاوية النطاق الترددي العالي (HBM) في طفرة الذكاء الاصطناعي الحالية. ووفقاً لتقرير سابق من Cryptopolitan، سجلت SK Hynix إيرادات قدرها 79.3 تريليون وون في الربع الثاني، و60.5 تريليون وون من صافي الدخل بسبب الطلب المتزايد على تقنية HBM. بدأت الشركة في إجراء شحنات كبيرة من شرائح HBM4 للحفاظ على ريادتها في مجال ذاكرة الذكاء الاصطناعي.

يعد هذا الاستثمار حاسماً للشركات التي تصنع رقائق الذكاء الاصطناعي وخدمات السحابة، لأن أجهزة التسريع المتطورة تعتمد على تكامل عدة طبقات من HBM بجانب الرقائق باستخدام تقنيات التغليف المتقدمة، مثل CoWoS من TSMC. لن يساعد مجرد زيادة إنتاج رقائق GPU إذا لم تكن ذاكرة HBM متوفرة بأعداد كافية.

وفقاً لتقرير نشرته Omdia، من المرجح أن تمثل الذاكرة أكثر من 50% من إيرادات سوق أشباه الموصلات العالمية بحلول عام 2026 بسبب الطلب المتزايد على DRAM وNAND نتيجة للذكاء الاصطناعي. تدعي TrendForce أن عرض DRAM وHBM سيظل ضيقاً على الأقل حتى عام 2027، حيث ستكون سعة التغليف المتقدم محدودة على الرغم من عدة تطورات على مستوى الصناعة.

توفر SK hynix تقنية HBM لشركة Nvidia وشركات تصنيع أخرى لمسرعات الذكاء الاصطناعي، مما يعني أن نواياها التصنيعية تصبح مقياساً رئيسياً لسعة توسع البنية التحتية للذكاء الاصطناعي. يأتي هذا الاستثمار بعد تقرير حديث من Cryptopolitan حول إعلان جينسن هوانغ، الرئيس التنفيذي لشركة Nvidia، عن تعاون بقيمة 500 مليار دولار مع مجموعة SK، مما يبرز الأهمية المتزايدة لإنتاج الذاكرة.

أين يذهب 54 تريليون وون

أعلنت SK hynix أن مبلغ 35.2 تريليون وون سيُخصص لبناء مصنع Y2 DRAM الخاص بها الواقع في يونغين. في الوقت نفسه، سيتم استخدام 19.1 تريليون وون لبناء مصنع M17 NAND flash الواقع في حرمها في تشونغجو. يُقدر أن الاستثمار المشترك سيبلغ حوالي 38 مليار دولار.

هذه المشاريع جزء لا يتجزأ من خطط SK hynix الأوسع نطاقاً للتطوير. التزمت الشركة بالفعل بـ 600 تريليون وون لمجمع يونغين لأشباه الموصلات و100 تريليون وون أخرى لتوسيع تشونغجو، بينما جاري بالفعل بناء المصنع المجاور Y1.

تتخذ الشركة خطوات لتعزيز موقعها في ذاكرة الذكاء الاصطناعي. حصلت SK hynix على 58% من إيرادات HBM العالمية في الربع الأول من عام 2026 بناءً على Memory Tracker من Counterpoint Research، تليها Samsung (21%) وMicron (21%).

تعد HBM الآن واحدة من المواد النادرة في صناعة الذكاء الاصطناعي. على عكس مواد DRAM العادية، تستخدم تقنية التكديس، وتقنية الثقوب عبر السيليكون (TSV)، وتقنية التغليف المعقدة، مما يجعل تصنيعها صعباً للغاية.

وفقاً لتوقعات Omdia، سيكون هناك نمو بنسبة 94.1% في صناعة أشباه الموصلات في عام 2026، مدفوعاً بالطلب المتعلق بالذكاء الاصطناعي على NAND وDRAM.

بدأ نقص المعروض بالفعل في التأثير على خطط تطوير المنتجات. على سبيل المثال، تفكر Nvidia الآن في حلول 8-Hi HBM وHBM4 لمسرّع Rubin Ultra القادم بدلاً من HBM4e 12-Hi المخطط سابقاً بسبب مخاوف من أن انخفاض توفر DRAM في عام 2027 قد يعيق إنتاج وحدات HBM.

يعني هذا الديناميكية أن موردي الذاكرة يتحكمون بشكل متزايد في سرعة دخول الأجهزة الذكية إلى السوق. يؤدي زيادة سعة الذاكرة إلى نمو شحنات المسرعات، بينما يجبر نقص الذاكرة المصنعين على مراجعة تصميم منتجاتهم وفقاً لكمية الذاكرة المتاحة.

ماذا سيبني المصانع، ومتى

يتوقع المحللون استمرار ظروف تشديد العرض لأن الأمر سيستغرق عدة سنوات قبل أن تصبح المصانع الجديدة عاملة.

وفقاً لـ SK hynix، من المتوقع أن ينتج مصنع Y2 منتجات HBM بالإضافة إلى منتجات DRAM من الجيل القادم. سيبدأ البناء في يوليو 2027، ومن المتوقع أن يكون غرفة نظيفة بحلول يونيو 2029. سيتم وضع حجر الأساس لمصنع M17 في فبراير 2027، وستكون غرفته النظيفة جاهزة بحلول ديسمبر 2028.

وفقاً لـ SK hynix، يخدم هذا الاستثمار كأساس لانتقال من المتوقع أن يستغرق وقتاً بدلاً من أن يكون مجرد اتجاه ذكاء اصطناعي قصير الأجل. تشير الشركة إلى أنه بناءً على توقعات Omdia، سترى نمواً سنوياً مركباً بنسبة 19% في الطلب العالمي على DRAM وNAND حتى عام 2030، مما يؤكد اعتقاد SK hynix بأهمية تصنيع الذاكرة الضخمة للفوز بالمنافسة في عصر الذكاء الاصطناعي.