تستثمر شركة إس كيه هاينكس 38 مليار دولار في مصانع جديدة لتلبية الطلب على ذاكرة الذكاء الاصطناعي

تُراهن شركة إس كيه هاينكس بقوة على الذكاء الاصطناعي. فقد وافقت عملاقة صناعة الذاكرة الكورية الجنوبية، يوم الجمعة، على استثمارات تصنيعية جديدة بقيمة 54 تريليون وون (حوالي 38 مليار دولار أمريكي)، مُرخصةً بذلك إنشاء مصنعين جديدين لرقائق الذاكرة، ما سيُساهم في توسيع إنتاج رقائق الذاكرة التي تُشغّل أنظمة الذكاء الاصطناعي. وتعكس هذه الخطوة إيمان الشركة بأن الطلب على بنية الذكاء الاصطناعي التحتية سيظلtronلسنوات، وأن الذاكرة، وليس المعالجات، هي التي لا تزال تُمثل العائق الأكبر أمام هذه الصناعة.

يأتي هذا الإعلان في أعقاب نتائج ربع سنوية قياسية أظهرت أهمية ذاكرة النطاق الترددي العالي (HBM) في طفرة الذكاء الاصطناعي الحالية. ووفقًا لتقرير سابق من Cryptopolitan، حققت شركة إس كيه هاينكس إيرادات بلغت 79.3 تريليون وون في الربع الثاني، وصافي دخل قدره 60.5 تريليون وون، وذلك بفضل الطلب المتزايد على تقنية HBM. وقد بدأت الشركة بتسليم كميات كبيرة من رقائق HBM4 للحفاظ على ريادتها في مجال ذاكرة الذكاء الاصطناعي.

يُعدّ هذا الاستثمار بالغ الأهمية للشركات المصنّعة لرقائق الذكاء الاصطناعي وخدمات الحوسبة السحابية، لأنّ أجهزة التسريع المتطورة تعتمد على دمج طبقات متعددة من ذاكرة HBM بجوار الرقائق باستخدام تقنيات تغليف متقدمة، مثل تقنية CoWoS من TSMC. ولن يُجدي مجرد زيادة إنتاج رقائق معالجة الرسومات نفعًا إذا لم تكن ذاكرة HBM متوفرة بكميات كافية.

بحسب تقرير نشرته شركة أومديا، من المرجح أن تستحوذ الذاكرة على أكثر من 50% من إيرادات سوق أشباه الموصلات العالمي بحلول عام 2026، وذلك نتيجةً لزيادة الطلب على ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) وذاكرة NAND بسبب تطبيقات الذكاء الاصطناعي. وتشير شركة تريند فورس إلى أن المعروض من ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) وذاكرة النطاق العريض عالي التردد (HBM) سيظل محدودًا حتى عام 2027 على الأقل، نظرًا لمحدودية القدرة على تصنيع التغليف المتقدم، على الرغم من التطورات العديدة التي يشهدها القطاع.

تُزوّد ​​شركة SK hynix شركة Nvidia وغيرها من الشركات المصنّعة لمسرّعات الذكاء الاصطناعي بذاكرة HBM، ما يجعل نواياها التصنيعية مؤشراً رئيسياً على سرعة توسّع البنية التحتية للذكاء الاصطناعي. ويأتي هذا الاستثمار عقب Cryptopolitanالأخير حول إعلان الرئيس التنفيذي لشركة Nvidia، جنسن هوانغ، عن تعاون بقيمة 500 مليار دولار مع مجموعة SK، ما يُبرز الأهمية المتزايدة لإنتاج الذاكرة.

أين تذهب الـ 54 تريليون وون؟

أعلنت شركة إس كيه هاينكس عن تخصيص مبلغ 35.2 تريليون وون كوري لبناء مصنع Y2 DRAM في يونغين. وفي الوقت نفسه، سيتم تخصيص 19.1 تريليون وون كوري لبناء مصنع M17 NAND flash في مجمع تشونغجو التابع لها. ويُقدّر أن يصل إجمالي الاستثمار إلى حوالي 38 مليار دولار أمريكي.

تُشكّل هذه المشاريع جزءًا لا يتجزأ من خطط شركة إس كيه هاينكس التنموية الطموحة. وقد خصصت الشركة بالفعل 600 تريليون وون لمجمع يونغين لأشباه الموصلات، و100 تريليون وون أخرى لتوسيع تشيونغجو، في حين أن أعمال بناء مصنع Y1 المجاور جارية بالفعل.

تتخذ الشركة خطوات لتعزيز مكانتها في مجال ذاكرة الذكاء الاصطناعي. وقد استحوذت شركة إس كيه هاينكس على 58% من إيرادات ذاكرة HBM العالمية في الربع الأول من عام 2026، وفقًا لتقرير " Tracالذاكرة" الصادر عن شركة كاونتربوينت ريسيرش، تلتها سامسونج (21%) ومايكرون (21%).

تُعدّ مادة HBM الآن من المواد النادرة في صناعة الذكاء الاصطناعي. وهي تختلف عن مواد DRAM العادية، إذ تستخدم تقنية التراص، وتقنية الوصلات البينية عبر السيليكون (TSV)، وتقنية التغليف المعقدة، مما يجعل تصنيعها صعباً للغاية.

وفقًا لتوقعات أومديا، سيكون هناك نمو بنسبة 94.1٪ في صناعة أشباه الموصلات في عام 2026، مدفوعًا بالطلب المتعلق بالذكاء الاصطناعي على ذاكرة NAND وذاكرة DRAM.

بدأ نقص الإمدادات يؤثر بالفعل على خطط تطوير المنتجات. فعلى سبيل المثال، تدرس شركة Nvidia حاليًا استخدام HBM ذات 8 وحدات وHBM4 لمسرع Rubin Ultra القادم بدلاً من حلول HBM4e ذات 12 وحدة التي كانت مخططة سابقًا، وذلك بسبب مخاوف من أن يؤدي انخفاض توافر ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) في عام 2027 إلى إعاقة إنتاج وحدات HBM.

هذا الوضع يعني أن موردي الذاكرة يتحكمون بشكل متزايد في سرعة دخول أجهزة الذكاء الاصطناعي إلى السوق. فزيادة سعة الذاكرة تؤدي إلى نمو شحنات المعالجات المسرّعة، بينما يُجبر نقص الذاكرة المصنّعين على تعديل تصميم منتجاتهم بما يتناسب مع كمية الذاكرة المتاحة.

ما الذي ستبنيه النباتات، ومتى

يتوقع المحللون استمرار ظروف تضييق الإمدادات لأنه سيستغرق الأمر عدة سنوات قبل أن تصبح المصانع الجديدة جاهزة للعمل.

بحسب شركة إس كيه هاينكس، من المتوقع أن ينتج مصنع Y2 منتجات HBM بالإضافة إلى منتجات DRAM من الجيل التالي. سيبدأ البناء في يوليو 2027، ومن المتوقع أن تكون غرفة التنظيف جاهزة بحلول يونيو 2029. أما مصنع M17، فسيبدأ العمل فيه في فبراير 2027، وستكون غرفة التنظيف جاهزة بحلول ديسمبر 2028.

بحسب شركة إس كيه هاينكس، يُمثّل هذا الاستثمار أساسًا لعملية تحوّل يُتوقع أن تستغرق وقتًا، بدلًا من أن تكون مجرد اتجاه عابر في مجال الذكاء الاصطناعي. وتشير الشركة، استنادًا إلى توقعات أومديا، إلى نمو سنوي مُركّب بنسبة 19% في الطلب العالمي على ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) وذاكرة NAND حتى عام 2030، ما يُؤكد إيمان إس كيه هاينكس بأهمية تصنيع الذاكرة على نطاق واسع لتحقيق التميّز التنافسي في عصر الذكاء الاصطناعي.