SK hynix apuesta $38 mil millones en nuevas fábricas para alimentar la demanda de memoria para IA

SK hynix está realizando otra apuesta masiva en inteligencia artificial. El gigante surcoreano de la memoria aprobó el viernes 54 billones de wones (aproximadamente 38.000 millones de dólares) en nuevas inversiones de fabricación, autorizando dos nuevas fábricas de chips que ampliarán la producción de los chips de memoria que alimentan los sistemas de IA. Este movimiento refleja la creencia de la empresa de que la demanda de infraestructura de IA se mantendrá fuerte durante años y de que la memoria, no los procesadores, sigue siendo la mayor limitación de la industria.

Este anuncio llega tras resultados trimestrales récord que han demostrado la importancia de la memoria de alto ancho de banda (HBM) en el actual auge de la IA. Según un informe anterior de Cryptopolitan, SK Hynix registró ingresos de 79.3 billones de wones en el segundo trimestre, y 60.5 billones de wones en ingresos netos debido a la creciente demanda de tecnología HBM. La compañía ha comenzado a realizar grandes entregas de chips HBM4 para mantener su liderazgo en el campo de la memoria de IA.

La inversión es crucial para las empresas que fabrican chips de IA y servicios en la nube, ya que los sofisticados dispositivos aceleradores dependen de múltiples pilas de HBM integradas junto a los chips utilizando tecnología de empaquetado avanzado, como CoWoS de TSMC. Simplemente aumentar la producción de chips GPU no ayudaría si la memoria HBM no está disponible en cantidades suficientes.

Según un informe publicado por Omdia, es probable que la memoria represente más del 50% de los ingresos del mercado global de semiconductores para 2026 debido al aumento de la demanda de DRAM y NAND por parte de la IA. TrendForce afirma que el suministro de DRAM y HBM se mantendrá ajustado al menos hasta 2027, ya que la capacidad de empaquetado avanzado será limitada a pesar de varios desarrollos en toda la industria.

SK hynix proporciona HBM a Nvidia y otros fabricantes de aceleradores de IA, lo que significa que sus intenciones de fabricación se convierten en una medida clave de la velocidad de expansión de la infraestructura de IA. Esta inversión sigue al reciente informe de Cryptopolitan sobre el anuncio del CEO de Nvidia, Jensen Huang, de una cooperación por 500.000 millones de dólares con SK Group, lo que demuestra la creciente importancia de la producción de memoria.

Dónde se destinarán los 54 billones de wones

SK hynix anunció que se asignará una suma de 35,2 billones de wones para la construcción de su fábrica de DRAM Y2 ubicada en Yongin. Al mismo tiempo, 19,1 billones de wones se utilizarán para construir la fábrica de memoria flash NAND M17 ubicada en su campus de Cheongju. Se estima que la inversión combinada ascenderá a alrededor de 38.000 millones de dólares.

Estos proyectos son un componente integral de los planes de desarrollo más amplios de SK hynix. La empresa ya ha comprometido 600 billones de wones para el Clúster de Semiconductores de Yongin y otros 100 billones de wones para expandir Cheongju, mientras que la construcción de la fábrica vecina Y1 ya está en marcha.

La empresa está tomando medidas para fortalecer su posición en la memoria para IA. SK hynix obtuvo el 58% de los ingresos globales de HBM en el primer trimestre de 2026 según el Memory Tracker de Counterpoint Research, con Samsung (21%) y Micron (21%) siguiéndole la estela.

La HBM es ahora uno de los materiales más escasos en la industria de la IA. A diferencia de los materiales DRAM convencionales, utiliza tecnología de apilamiento, tecnología de vías a través del silicio (TSV) y tecnología de empaquetado compleja, lo que la hace extremadamente difícil de fabricar.

Según las proyecciones de Omdia, habrá un crecimiento del 94,1% en la industria de los semiconductores en 2026, impulsado por la demanda relacionada con la IA de NAND y DRAM.

La escasez de suministro ya ha comenzado a impactar los planes de desarrollo de productos. Por ejemplo, Nvidia ahora está considerando soluciones HBM de 8 capas y HBM4 para su próximo acelerador Rubin Ultra, en lugar de las previamente planificadas HBM4e de 12 capas, debido a las preocupaciones de que la reducción de la disponibilidad de DRAM en 2027 pueda obstaculizar la producción de módulos HBM.

Esta dinámica significa que los proveedores de memoria controlan cada vez más la rapidez con la que el hardware de IA puede entrar en el mercado. Un aumento en la capacidad de memoria conduce al crecimiento de los envíos de aceleradores, mientras que la escasez de memoria obliga a los fabricantes a revisar el diseño de sus productos según la cantidad de memoria disponible.

Qué construirán las plantas y cuándo

Los analistas anticipan que las condiciones de estrechez de la oferta continuarán, ya que transcurrirán varios años antes de que las nuevas fábricas estén operativas.

Según SK hynix, se espera que la fábrica Y2 produzca tanto productos HBM como productos de DRAM de próxima generación. La construcción comenzará en julio de 2027, con la sala limpia esperada para junio de 2029. La ceremonia de colocación de la primera piedra de la fábrica M17 tendrá lugar en febrero de 2027, y su sala limpia estará lista para diciembre de 2028.

Según SK hynix, esta inversión sirve como base para una transición que se espera que tome tiempo en lugar de ser solo una tendencia de IA de corta duración. La empresa indica que, según las previsiones de Omdia, verá un crecimiento del CAGR del 19% en la demanda global de DRAM y NAND hasta 2030, confirmando así la creencia de SK hynix en la relevancia de la fabricación masiva de memoria para ganar competitivamente en la era de la inteligencia artificial.