SK海力士投资38十亿韩元建设新晶圆厂以满足AI内存需求

SK海力士正在对人工智能进行又一次巨额押注。这家韩国内存巨头周五批准了54万亿韩元（约380亿美元）的新制造投资，授权建设两座新芯片晶圆厂，以扩大为AI系统提供动力的内存芯片的生产。此举反映了该公司相信AI基础设施的需求将在未来几年保持强劲，并且内存而非处理器仍是该行业最大的瓶颈。

这一宣布是在创纪录的季度业绩之后，这些业绩证明了高带宽内存（HBM）在当前 AI 热潮中的重要性。根据 Cryptopolitan 之前的报道，SK 海力士第二季度收入为 79.3 万亿韩元，净利润 60.5 万亿韩元，这是由于对 HBM 技术的需求不断增长。该公司已开始大量交付 HBM4 芯片，以保持其在 AI 内存领域的领先地位。

对于制造AI芯片和云服务的企业来说，这项投资至关重要，因为复杂的加速器设备依赖于使用台积电CoWoS等先进封装技术将多个HBM堆栈集成到芯片旁边。如果HBM内存数量不足，仅仅增加GPU芯片的生产是毫无帮助的。

根据Omdia发布的一份报告，由于AI对DRAM和NAND需求的增加，内存到2026年可能占全球半导体市场收入的50%以上。TrendForce声称，尽管行业整体有所发展，但先进封装产能有限，DRAM和HBM的供应至少在2027年之前仍将保持紧张。

SK海力士向英伟达及其他AI加速器制造商提供 HBM，这意味着其制造计划成为衡量AI基础设施扩张速度的关键指标。此次投资紧随Cryptopolitan近期关于英伟达CEO黄仁勋宣布与SK集团达成5000亿美元合作的报道，彰显了内存生产日益重要的地位。

54万亿韩元的去向

SK海力士宣布，35.2万亿韩元将用于建设其位于龙仁的Y2 DRAM晶圆厂。同时，19.1万亿韩元将用于建设位于清州校区的M17 NAND闪存晶圆厂。预计总投资额约为380亿美元。

这些项目是SK海力士更广泛发展计划的重要组成部分。该公司已承诺向龙仁半导体集群投入600万亿韩元，并向清州扩建投入100万亿韩元，而邻近的Y1晶圆厂的建设已在进行中。

该公司正在采取措施巩固其在AI内存领域的地位。根据Counterpoint Research的Memory Tracker数据，SK海力士在2026年第一季度占据了全球HBM收入的58%，三星（21%）和美光（21%）紧随其后。

HBM现在是AI行业中罕见的材料之一。与普通DRAM材料不同，它利用堆叠技术、硅通孔（TSV）技术和复杂的封装技术，使其制造极其困难。

根据Omdia的预测，受AI对NAND和DRAM需求的推动，半导体行业在2026年将增长94.1%。

供应短缺已经开始影响产品开发计划。例如，由于担心2027年DRAM供应减少可能阻碍HBM模块的生产，英伟达正在考虑为其下一代Rubin Ultra加速器采用8层HBM和HBM4解决方案，而非此前计划的12层HBM4e。

这种动态意味着内存供应商越来越多地控制着AI硬件进入市场的速度。内存容量的增加会导致加速器出货量的增长，而内存短缺则迫使制造商根据可用内存数量修改产品设计。

工厂将生产什么，以及何时生产

分析师预计供应紧张状况将持续，因为新晶圆厂投入运营还需要数年时间。

根据SK海力士的说法，Y2晶圆厂预计将生产HBM产品和下一代DRAM产品。建设将于2027年7月开始，洁净室预计将于2029年6月完工。M17晶圆厂的破土动工将于2027年2月进行，其洁净室将于2028年12月准备就绪。

根据SK海力士的说法，这项投资是为预计需要时间才能完成的转型奠定基础，而不仅仅是一时的AI热潮。该公司指出，根据Omdia的预测，全球对DRAM和NAND的需求到2030年将以19%的复合年增长率增长，从而证实了SK海力士相信大规模内存制造对于在人工智能时代赢得竞争优势的相关性。