Samsung inizierà la spedizione del chip HBM4 entro la fine del mese

Samsungtrondovrebbe iniziare le spedizioni della sua memoria ad alta larghezza di banda di nuova generazione, HBM4, entro la fine del mese. Secondo fonti ben informate del settore, le spedizioni dovrebbero avvenire dopo le festività del Capodanno lunare.

Samsung Electronicstron. inoltre destinata a diventare il primo produttore di memorie a commercializzare quello che è ampiamente considerato un chip rivoluzionario per l'informatica basata sull'intelligenza artificiale, hanno aggiunto le fonti

L'azienda prevede di iniziare a spedire HBM4 a Nvidia già dalla terza settimana di febbraio. Nvidia dovrebbe utilizzare la memoria nella sua piattaforma di accelerazione AI di prossima generazione, Vera Rubin.

Samsung pronta a iniziare la spedizione dell'HBM4 questo mese

Questa mossa segna una svolta per Samsung, che aveva dovuto affrontare dubbi e critiche sulla sua competitività nelle precedenti generazioni di HBM. Con l'HBM4, Samsung punta a colmare il divario e persino a superare la rivale cittadina SK Hynix, che aveva guadagnato una posizione di leadership nel settore grazie alla crescente domanda da parte dei data center di intelligenza artificiale.

Secondo un funzionario del settore, questa mossa garantisce a Samsung la ripresa di cui aveva tanto bisogno nel settore tecnologico.

La fonte del settore ha anche affermato che, essendo la prima azienda a produrre in serie l'HBM4 dalle prestazioni più elevate, l'azienda avrà un chiaro vantaggio nel plasmare il mercato nel modo che desidera.

Nvidia dovrebbe presentare gli acceleratori Vera Rubin che integrano l'HBM4 alla sua conferenza annuale, GTC 2026, che si terrà presumibilmente entro la fine del mese. Samsung ha affermato che i tempi di spedizione sono stati conclusi dopo il coordinamento con la roadmap di prodotto di Nvidia e i programmi di test a livello di sistema downstream.

Oltre alla velocità, anche l'approccio tecnologico di Samsung al prodotto è degno di nota. Fin dall'inizio, l'azienda ha pianificato di migliorare gli standard stabiliti dal JEDEC, adottando la prima combinazione del settore di un processo DRAM di sesta generazione a 10 nanometri (1c) con un die logico a 4 nanometri prodotto internamente.

Di conseguenza, l'HBM4 di Samsung garantisce velocità di trasferimento dati pari a circa 11,7 Gbps al secondo, ben al di sopra degli standard JEDEC di 8 Gbps.

Il dato rappresenta anche un miglioramento del 37% rispetto allo standard e un guadagno del 22% rispetto alla precedente generazione HMB3E.

Secondo le fonti, la larghezza di banda di memoria per stack raggiunge i 3 terabyte al secondo, circa 2,4 volte superiore rispetto al suo predecessore. Inoltre, vanta un design di stacking a 12 livelli che consente una capacità fino a 36 gigabyte.

Secondo le stime del settore, con la futura configurazione a 16 core, la capacità potrebbe aumentare fino a 48 GB.

Sono previsti ulteriori miglioramenti prima della produzione di massa

Nonostante l'impiego di processi all'avanguardia, Samsung è riuscita a ottenere una resa stabile prima della produzione di massa, e si prevedono ulteriori miglioramenti con l'aumento della produzione, come sottolineano fonti del settore.

Samsung ha parlato anche di efficienza energetica, sottolineando che HBM4 è progettato per massimizzare le prestazioni di elaborazione riducendo al contempo il consumo energetico, aiutando i data center a ridurre il consumo di elettricità e i costi di raffreddamento.

L'azienda prevede che il volume delle vendite di HBM quest'anno sarà più che triplicato rispetto all'anno scorso e ha deciso di installare ulteriori linee di produzione presso la Linea 4 del suo campus di Pyeongtaek per espanderne la capacità. Si prevede che l'impianto produrrà circa 100.000-120.000 wafer al mese, dedicati alla DRAM 1c utilizzata nei prodotti HBM4, hanno aggiunto fonti del settore.

L'anno scorso, Samsung aveva già raggiunto una capacità produttiva mensile di circa 60.000-70.000 wafer per il processo DRAM 1c.

Con l'espansione pianificata, la produzione totale di 1c prevista per HBM4 potrebbe aumentare a circa 200.000 wafer al mese, rappresentando circa un quarto della capacità produttiva totale di DRAM di Samsung, pari a circa 780.000 wafer.

Si prevede che il mercato HBM4 sarà dominato da Samsung e SK Hynix, con la statunitense Micron Technology già fuori dai giochi. Secondo il market tracSemiAnalysis, SK Hynix dovrebbe conquistare circa il 70% del mercato HBM4, mentre Samsung coprirà il restante 30%.