Samsung inizierà le spedizioni del chip HBM4 alla fine di questo mese

Si prevede che Samsung Electronics inizierà le spedizioni della sua memoria ad alta larghezza di banda di prossima generazione, HBM4, alla fine di questo mese. Secondo fonti ben informate del settore, le spedizioni dovrebbero verificarsi dopo le vacanze del Capodanno Lunare.

Samsung Electronics è anche destinata a diventare il primo produttore di memoria a commercializzare ciò che è ampiamente considerato un chip rivoluzionario per il calcolo AI, hanno aggiunto le fonti.

L'azienda ha in programma di iniziare a spedire HBM4 a Nvidia già dalla terza settimana di febbraio. Si prevede che Nvidia utilizzerà la memoria nella sua piattaforma di acceleratore AI di prossima generazione, Vera Rubin.

Samsung si prepara a iniziare la spedizione HBM4 questo mese

La mossa segnala un cambiamento di fortuna per Samsung, che aveva affrontato domande e critiche sulla sua competitività nelle generazioni precedenti di HBM. Con l'HBM4, Samsung mira a colmare il divario e persino a superare il rivale crosstown SK Hynix, che aveva ottenuto un vantaggio iniziale nel settore grazie alla crescente domanda dai data center AI.

Secondo un funzionario del settore, la mossa dà a Samsung il recupero di cui aveva tanto bisogno nel settore tecnologico.

La fonte del settore ha anche menzionato che, essendo la prima a produrre in massa l'HBM4 dalle prestazioni più elevate, dà all'azienda un chiaro vantaggio nel plasmare il mercato nel modo in cui vuole.

Nvidia dovrebbe svelare gli acceleratori Vera Rubin che incorporano l'HBM4 alla sua conferenza annuale, GTC 2026, che dovrebbe tenersi alla fine di questo mese. Samsung ha menzionato che la tempistica della spedizione è stata conclusa dopo il coordinamento con la roadmap del prodotto di Nvidia e i programmi di test a livello di sistema a valle.

Oltre alla velocità, l'approccio tecnologico di Samsung al prodotto è anche notevole. Fin dall'inizio, l'azienda ha pianificato di migliorare gli standard stabiliti da JEDEC, adottando la prima combinazione del settore di un processo DRAM di sesta generazione da 10 nanometri (1c) con un die logico da 4 nanometri prodotto attraverso i suoi confini.

Di conseguenza, l'HBM4 di Samsung offre velocità di trasferimento dati di circa 11,7 Gbps al secondo, che è ben al di sopra degli standard JEDEC di 8 Gbps.

La cifra rappresenta anche un miglioramento del 37% rispetto allo standard e un guadagno del 22% rispetto alla precedente generazione HMB3E.

Secondo le fonti, la larghezza di banda della memoria per stack raggiunge fino a 3 terabyte al secondo, che è circa 2,4 volte superiore al suo predecessore. Inoltre, vanta un design di impilamento a 12 livelli che consente una capacità fino a 36 gigabyte.

Con la sua futura configurazione a 16 livelli, la capacità potrebbe crescere fino a 48 GB, mostrano le stime del settore.

Ulteriori miglioramenti sono previsti prima della produzione in serie

Nonostante l'uso di processi all'avanguardia, Samsung è stata in grado di raggiungere un rendimento stabile prima della produzione in serie, con ulteriori miglioramenti previsti man mano che la produzione aumenta, notano le fonti del settore.

Samsung ha anche parlato di efficienza energetica, notando che l'HBM4 è progettato per massimizzare le prestazioni di calcolo riducendo il consumo di energia, aiutando i data center a ridurre l'uso di elettricità e i costi di raffreddamento.

L'azienda si aspetta anche che il volume delle vendite HBM di quest'anno triplichi rispetto all'anno scorso e ha deciso di installare linee di produzione aggiuntive al suo Campus di Pyeongtaek Line 4 per espandere la sua capacità. Si prevede che la struttura produrrà circa 100.000-120.000 wafer ogni mese, dedicati alla DRAM 1c utilizzata nei prodotti HBM4, hanno aggiunto le fonti del settore.

Lo scorso anno, Samsung aveva già costruito una capacità mensile di circa 60.000-70.000 wafer per il processo DRAM 1c.

Con l'espansione pianificata, la produzione totale di 1c prevista per l'HBM4 potrebbe aumentare a circa 200.000 wafer al mese, rappresentando circa un quarto della capacità totale di produzione DRAM di Samsung di circa 780.000 wafer.

Si prevede che il mercato HBM4 sarà dominato da Samsung e SK Hynix, con Micron Technology, con sede negli Stati Uniti, già considerata fuori dalla gara. Secondo il tracker di mercato SemiAnalysis, SK Hynix dovrebbe prendere circa il 70% del mercato HBM4, mentre Samsung rappresenterà il restante 30%.