Компания Samsung начнет поставки чипов HBM4 в конце этого месяца

Ожидается, чтоtronSamsung Electronics начнет поставки своей высокоскоростной памяти следующего поколения, HBM4, в конце этого месяца. По данным хорошо информированных источников в отрасли, поставки, как ожидается, начнутся после празднования китайского Нового года.

Samsung Electronicstronчто собирается стать первым производителем памяти, который выведет на рынок чип, широко считающийся революционным для вычислений с использованием искусственного интеллекта.

Компания планирует начать поставки памяти HBM4 компании Nvidia уже в третью неделю февраля. Ожидается, что Nvidia будет использовать эту память в своей платформе ускорителей искусственного интеллекта следующего поколения, Vera Rubin.

Компания Samsung планирует начать поставки памяти HBM4 в этом месяце

Этот шаг знаменует собой поворотный момент для Samsung, которая сталкивалась с вопросами и критикой по поводу своей конкурентоспособности в предыдущих поколениях HBM. С HBM4 Samsung стремится сократить отставание и даже обогнать своего конкурента SK Hynix, который занял лидирующие позиции в этом секторе благодаря растущему спросу со стороны центров обработки данных, ориентированных на искусственный интеллект.

По словам представителя отрасли, этот шаг обеспечит Samsung столь необходимое восстановление в технологическом секторе.

Источник в отрасли также отметил, что, первым начав массовое производство высокопроизводительной памяти HBM4, компания получает явное преимущество в формировании рынка в соответствии со своими желаниями.

Ожидается, что Nvidia представит ускорители Vera Rubin с памятью HBM4 на своей ежегодной конференции GTC 2026, которая, как ожидается, состоится в конце этого месяца. Samsung упомянула, что сроки поставок были согласованы с планом развития продуктов Nvidia и графиком тестирования на системном уровне.

Помимо скорости, заслуживает внимания и технологический подход Samsung к продукту. С самого начала компания планировала превзойти стандарты, установленные JEDEC, внедрив первое в отрасли сочетание 10-нанометрового техпроцесса DRAM (1c) шестого поколения с 4-нанометровым логическим кристаллом собственного производства.

В результате память HBM4 от Samsung обеспечивает скорость передачи данных около 11,7 Гбит/с, что значительно превышает стандарты JEDEC в 8 Гбит/с.

Этот показатель также демонстрирует улучшение на 37% по сравнению со стандартом и на 22% по сравнению с предыдущим поколением HMB3E.

Согласно источникам, пропускная способность памяти на один стек достигает 3 терабайт в секунду, что примерно в 2,4 раза выше, чем у предшественника. Кроме того, она может похвастаться 12-уровневой конструкцией стекирования, позволяющей увеличить емкость до 36 гигабайт.

Согласно отраслевым оценкам, в будущей конфигурации с 16 ячейками объем памяти может увеличиться на целых 48 ГБ.

Перед началом массового производства ожидаются дальнейшие улучшения

Несмотря на использование передовых технологий, Samsung удалось добиться стабильного уровня выхода годной продукции перед началом массового производства, и, как отмечают источники в отрасли, по мере увеличения объемов производства ожидается дальнейшее улучшение показателей.

Компания Samsung также говорила об энергоэффективности, отмечая, что память HBM4 разработана для максимальной производительности вычислений при одновременном снижении энергопотребления, что помогает центрам обработки данных сократить потребление электроэнергии и затраты на охлаждение.

Компания также ожидает, что объем продаж HBM в этом году увеличится более чем втрое по сравнению с прошлым годом, и приняла решение установить дополнительные производственные линии на своем заводе №4 в кампусе Пхёнтек для расширения мощностей. По данным отраслевых источников, ожидается, что предприятие будет производить примерно от 100 000 до 120 000 пластин в месяц, предназначенных для 1-ядерной DRAM, используемой в продуктах HBM4.

В прошлом году компания Samsung уже создала ежемесячную производственную мощность в размере около 60 000–70 000 пластин для 1-ядерного техпроцесса DRAM.

С учетом запланированного расширения общий объем производства 1-ядерной памяти HBM4 может вырасти примерно до 200 000 пластин в месяц, что составит приблизительно четверть от общей производственной мощности Samsung по выпуску DRAM, составляющей около 780 000 пластин.

Ожидается, что на рынке HBM4 будут доминировать Samsung и SK hynix, а американская компания Micron Technology уже считается выбывшей из гонки. По данным tracкомпании SemiAnalysis, SK hynix, как ожидается, займет около 70% рынка HBM4, а Samsung – оставшиеся 30%.