ПОСЛЕДНИЕ НОВОСТИ
ПОДОБРАНО ДЛЯ ВАС

Samsung начнет отгрузку чипов HBM4 в конце этого месяца

АвторОвотунсе АдебайоОвотунсе Адебайо 3 мин. чтения
Samsung начнет отгрузку чипов HBM4 в конце этого месяца

Фото Babak Habibi на Unsplash.

  • Ожидается, что Samsung Electronics начнёт отгрузки своей памяти HBM4 уже в конце этого месяца.
  • Компания уже заключила соглашение на поставку продукции компании Nvidia после празднования Лунного Нового года.
  • По данным отраслевых источников, перед запуском массового производства чипов ожидаются дальнейшие улучшения.

Ожидается, что Samsung Electronics начнет отгрузку своей высокоскоростной памяти следующего поколения HBM4 в конце этого месяца. По данным хорошо осведомленных отраслевых источников, отгрузки состоятся после празднования Лунного Нового года.

Samsung Electronics также намерена стать первым производителем памяти, который коммерциализирует чип, широко считающийся меняющим правила игры для вычислений ИИ, добавили источники.

Компания планирует начать отгрузку HBM4 в Nvidia уже в третьей неделе февраля. Ожидается, что память будет использоваться в ее новой платформе ускорителей искусственного интеллекта Vera Rubin.

Samsung готова начать отгрузку HBM4 в этом месяце

Этот шаг сигнализирует о повороте судьбы для Samsung, которая сталкивалась с вопросами и критикой в отношении своей конкурентоспособности в более ранних поколениях HBM. С HBM4 Samsung стремится сократить разрыв и даже опередить соседнего конкурента SK Hynix, который получил раннее преимущество в секторе благодаря растущему спросу со стороны центров обработки данных ИИ.

По словам отраслевого чиновника, этот шаг дает Samsung столь необходимое восстановление в технологическом секторе.

Отраслевой источник также отметил, что, став первой компанией, начавшей массовое производство HBM4 с наивысшей производительностью, она получает явное преимущество в формировании рынка по своему усмотрению.

Ожидается, что Nvidia представит ускорители Vera Rubin, оснащенные HBM4, на своей ежегодной конференции GTC 2026, которая, как ожидается, состоится в конце этого месяца. Samsung заявила, что сроки отгрузки были согласованы с дорожной картой продуктов Nvidia и графиками тестирования на уровне систем.

Помимо скорости, технологический подход Samsung к продукту также примечателен. С самого начала компания планировала улучшить стандарты, установленные JEDEC, внедрив первое в отрасли сочетание шестого поколения DRAM 1c (1c) с процессом 10-нанометрового класса и 4-нанометровым логическим кристаллом, произведенным с использованием собственных границ.

В результате HBM4 от Samsung обеспечивает скорость передачи данных около 11,7 Гбит/с, что значительно выше стандарта JEDEC в 8 Гбит/с.

Этот показатель также представляет собой улучшение на 37% по сравнению со стандартом и прирост на 22% по сравнению с предыдущим поколением HBM3E.

По данным источников, пропускная способность памяти на стек достигает 3 терабайт в секунду, что примерно в 2,4 раза выше, чем у предшественника. Кроме того, он может похвастаться конструкцией с 12-уровневым стеком, обеспечивающей емкость до 36 гигабайт.

По оценкам отрасли, с будущей конфигурацией на 16 уровней емкость может вырасти до 48 ГБ.

Дальнейшие улучшения ожидаются до начала массового производства

Несмотря на использование передовых процессов, Samsung удалось достичь стабильного выхода годных изделий еще до начала массового производства, при этом дальнейшие улучшения ожидаются по мере масштабирования выпуска, отмечают отраслевые источники.

Samsung также говорила об энергоэффективности, отметив, что HBM4 разработан для максимизации вычислительной производительности при одновременном снижении энергопотребления, что помогает центрам обработки данных сократить расходы на электроэнергию и охлаждение.

Компания также ожидает, что объем продаж HBM в этом году увеличится более чем в три раза по сравнению с прошлым годом, и приняла решение установить дополнительные производственные линии на 4-й линии кампуса в Пхёнтек для расширения мощностей. По данным отраслевых источников, объект будет производить примерно от 100 000 до 120 000 пластин в месяц, предназначенных для DRAM 1c, используемой в продуктах HBM4.

В прошлом году Samsung уже создала месячную мощность около 60 000–70 000 пластин для процесса DRAM 1c.

С учетом планируемого расширения общий объем выпуска 1c для HBM4 может вырасти до примерно 200 000 пластин в месяц, что составляет примерно четверть общей производственной мощности DRAM Samsung, составляющей около 780 000 пластин.

Ожидается, что рынок HBM4 будет доминировать Samsung и SK hynix, при этом американская Micron Technology уже считается выбывшей из гонки. По данным аналитической компании SemiAnalysis, на долю SK hynix, как ожидается, придется около 70% рынка HBM4, а на Samsung — оставшиеся 30%.

Если вы читаете это, вы уже впереди. Оставайтесь с нами, подписавшись на нашу рассылку.

Поделиться статьёй

Отказ от ответственности. Предоставленная информация не является торговой рекомендацией. Cryptopolitan.com Мы не несем ответственности за любые инвестиции, сделанные на основе информации, представленной на этой странице. Мы настоятельно рекомендуем проводить независимое исследование и/или проконсультироваться с квалифицированным специалистом перед принятием любых инвестиционных решений.

Овотунсе Адебайо

Овотунсе Адебайо

Адебайо — писатель с четырёхлетним опытом работы в сфере криптовалют. Он окончил Университет Лагоса, где изучал городское и региональное планирование. Адебайо работал в Tokenhell и CryptoTicker, освещая новости криптовалют и финтеха. В настоящее время он является новостным автором в Cryptopolitan.

ЕЩЁ … НОВОСТИ