Samsung commencera les expéditions de puces HBM4 plus tard ce mois-ci

Samsung Electronics devrait commencer les expéditions de sa mémoire haute bande passante de nouvelle génération, le HBM4, plus tard ce mois-ci. Selon des sources bien informées de l'industrie, les expéditions devraient avoir lieu après les vacances du Nouvel An lunaire.

Samsung Electronics est également sur le point de devenir le premier fabricant de mémoire à commercialiser ce qui est largement considéré comme une puce révolutionnaire pour le calcul IA, ont ajouté les sources.

La société prévoit de commencer à expédier le HBM4 à Nvidia dès la troisième semaine de février. Nvidia devrait utiliser cette mémoire dans sa prochaine plateforme d'accélérateur IA, Vera Rubin.

Samsung devrait commencer les expéditions de HBM4 ce mois-ci

Ce mouvement marque un tournant dans la chance de Samsung, qui avait fait face à des questions et des critiques concernant sa compétitivité lors des générations précédentes de HBM. Avec le HBM4, Samsung vise à combler l'écart et même à devancer son rival local SK Hynix, qui avait pris une avance initiale dans ce secteur grâce à la demande croissante des centres de données IA.

Selon un responsable de l'industrie, ce mouvement offre à Samsung la reprise tant nécessaire dans le secteur technologique.

La source de l'industrie a également mentionné qu'en étant le premier à produire en masse le HBM4 aux performances les plus élevées, cela donne à l'entreprise un avantage clair pour façonner le marché comme elle le souhaite.

Nvidia devrait dévoiler les accélérateurs Vera Rubin intégrant le HBM4 lors de sa conférence annuelle, GTC 2026, qui devrait se tenir plus tard ce mois-ci. Samsung a indiqué que le calendrier des expéditions a été convenu après une coordination avec la feuille de route des produits de Nvidia et les calendriers de tests au niveau système en aval.

Outre la vitesse, l'approche technologique de Samsung pour ce produit est également notable. Dès le départ, l'entreprise a prévu d'améliorer les normes définies par le JEDEC, en adoptant la première combinaison de l'industrie d'un processus DRAM de sixième génération de classe 10 nanomètres (1c) avec un die logique de 4 nanomètres produit via ses propres frontières.

En conséquence, le HBM4 de Samsung offre des vitesses de transfert de données d'environ 11,7 Gbps par seconde, bien au-dessus des normes du JEDEC de 8 Gbps.

Ce chiffre représente également une amélioration de 37 % par rapport à la norme et un gain de 22 % par rapport à la génération précédente de HBM3E.

Selon les sources, la bande passante mémoire par empilement atteint jusqu'à 3 téraoctets par seconde, soit environ 2,4 fois supérieure à celle de son prédécesseur. De plus, il arbore une conception d'empilement à 12 niveaux qui permet une capacité allant jusqu'à 36 gigaoctets.

Avec sa future configuration à 16 niveaux, la capacité pourrait atteindre 48 Go, selon les estimations de l'industrie.

De nouvelles améliorations sont attendues avant la production en série

Malgré l'utilisation de procédés de pointe, Samsung a pu atteindre un rendement stable avant la production en série, avec de nouvelles améliorations attendues à mesure que la production augmentera, notent les sources de l'industrie.

Samsung a également parlé de l'efficacité énergétique, notant que le HBM4 est conçu pour maximiser les performances de calcul tout en réduisant la consommation d'énergie, aidant ainsi les centres de données à réduire l'utilisation d'électricité et les coûts de refroidissement.

L'entreprises'attend également à ce que son volume de ventes de HBM triplera cette année par rapport à l'année dernière et a décidé d'installer des lignes de production supplémentaires sur son campus de Pyeongtaek, ligne 4, afin d'augmenter sa capacité. L'installation devrait produire environ 100 000 à 120 000 wafers chaque mois, dédiés à la mémoire DRAM 1c utilisée dans les produits HBM4, ont ajouté des sources de l'industrie.

L'année dernière, Samsung avait déjà construit une capacité mensuelle d'environ 60 000 à 70 000 wafers pour le processus DRAM 1c.

Avec l'expansion prévue, la production totale de 1c prévue pour le HBM4 pourrait atteindre environ 200 000 wafers par mois, représentant environ un quart de la capacité totale de production de DRAM de Samsung d'environ 780 000 wafers.

Le marché du HBM4 devrait être dominé par Samsung et SK Hynix, Micron Technology étant déjà considérée comme hors course. Selon le suivi du marché SemiAnalysis, SK Hynix devrait prendre environ 70 % du marché du HBM4, tandis que Samsung représentera les 30 % restants.