سامسونج ستبدأ شحن شرائح HBM4 في وقت لاحق من هذا الشهر

من المتوقع أن تبدأ سامسونج للإلكترونيات شحنات ذاقتها عالية النطاق من الجيل التالي، HBM4، في وقت لاحق من هذا الشهر. وفقًا لمصادر صناعية مطلعة، من المتوقع أن تحدث الشحنات بعد عطلة رأس السنة القمرية الجديدة.

وأضافت المصادر أن سامسونج للإلكترونيات ستصبح أيضًا أول صانع ذاكرة يقوم بتجاريّة شريحة تُعتبر على نطاق واسع بأنها تغير قواعد اللعبة في الحوسبة الذكية.

تخطط الشركة لبدء شحن HBM4 إلى Nvidia في وقت مبكر من الأسبوع الثالث من فبراير. من المتوقع أن تستخدم Nvidia الذاكرة في منصة التسريع الذكية من الجيل التالي الخاصة بها، Vera Rubin.

سامسونج على وشك بدء شحن HBM4 هذا الشهر

يشير هذا التحرك إلى تحول في حظ سامسونج، التي واجهت أسئلة ونقداً بشأن قدرتها التنافسية في الأجيال السابقة من HBM. ومع HBM4، تهدف سامسونج إلى سد الفجوة وحتى التفوق على منافستها القريبة SK هايونيكس، التي حققت ريادة مبكرة في هذا القطاع بفضل الطلب المتصاعد من مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي.

وفقًا لمسؤول صناعي، يمنح هذا التحرك سامسونج التعافي الذي كانت تحتاج إليه بشدة في قطاع التكنولوجيا.

كما ذكر مصدر صناعي أن كونها الأولى في إنتاج HBM4 بأعلى أداء بكميات كبيرة يمنح الشركة ميزة واضحة في تشكيل السوق بالطريقة التي تريدها.

من المتوقع أن تكشف Nvidia عن معجلات Vera Rubin التي تتضمن HBM4 في مؤتمرها السنوي، GTC 2026، والذي من المتوقع أن يُعقد في وقت لاحق من هذا الشهر. ذكرت سامسونج أن توقيت الشحن تم الاتفاق عليه بعد التنسيق مع خارطة طريق منتجات Nvidia وجدول اختبارات مستوى النظام في الطرف الآخر.

إضافة إلى السرعة، فإن النهج التكنولوجي لشركة سامسونج تجاه المنتج جدير بالملاحظة أيضًا. من البداية، خططت الشركة لتحسين المعايير التي وضعتها JEDEC، واعتماد أول مزيج في الصناعة لجيل سادس من عملية DRAM بعرض 10 نانومتر (1c) مع رقاقة منطقية بعرض 4 نانومتر تم إنتاجها من خلال حدودها الخاصة.

ونتيجة لذلك، توفر HBM4 من سامسونج سرعات نقل بيانات تبلغ حوالي 11.7 جيجابت في الثانية، وهو أعلى بكثير من معايير JEDEC البالغة 8 جيجابت في الثانية.

يمثل هذا الرقم أيضًا تحسنًا بنسبة 37% عن المعيار وزيادة بنسبة 22% عن الجيل السابق HMB3E.

وفقًا للمصادر، يصل عرض النطاق الترددي للذاكرة لكل كومة إلى 3 تيرابايت في الثانية، وهو أعلى بحوالي 2.4 مرة من سلفه. بالإضافة إلى ذلك، تتميز بتصميم تكديس بارتفاع 12 يسمح بسعة تصل إلى 36 جيجابايت.

مع تكوينها المستقبلي بارتفاع 16، قد تنمو السعة إلى 48 جيجابايت، وفقًا لتقديرات الصناعة.

من المتوقع حدوث تحسينات إضافية قبل الإنتاج الضخم

على الرغم من استخدام عمليات متطورة، تمكنت سامسونج من تحقيق عائد مستقر قبل الإنتاج الضخم، مع توقع حدوث تحسينات إضافية مع زيادة الإنتاج، كما تشير المصادر الصناعية.

كما تحدثت سامسونج عن كفاءة الطاقة، مشيرة إلى أن HBM4 مصممة لتعظيم أداء الحوسبة مع تقليل استهلاك الطاقة، مما يساعد مراكز البيانات على خفض استخدام الكهرباء وتكاليف التبريد.

كما تتوقع الشركة أن حجم مبيعات HBM هذا العام سيتجاوز ثلاثة أضعاف العام الماضي، وقررت تركيب خطوط إنتاج إضافية في خط 4 بمجمع بيونغتاك لتوسيع طاقتها. من المتوقع أن ينتج المجمع حوالي 100,000 إلى 120,000 رقاقة كل شهر، مخصصة لـ DRAM 1c المستخدم في منتجات HBM4، وفقًا لمصادر صناعية.

في العام الماضي، بنت سامسونج بالفعل طاقة إنتاجية شهرية تبلغ حوالي 60,000 إلى 70,000 رقاقة لعملية DRAM 1c.

مع التوسع المخطط له، قد يرتفع إجمالي إنتاج 1c المخطط لـ HBM4 إلى حوالي 200,000 رقاقة في الشهر، مما يمثل حوالي ربع إجمالي طاقة إنتاج DRAM لشركة سامسونج والتي تبلغ حوالي 780,000 رقاقة.

من المتوقع أن تهيمن سامسونج وSK هايونيكس على سوق HBM4، مع اعتبار شركة Micron Technology الأمريكية خارج السباق. وفقًا لمتتبع السوق SemiAnalysis، من المتوقع أن تأخذ SK هايونيكس حوالي 70% من سوق HBM4، بينما ستشكل سامسونج الـ 30% المتبقية.