ستبدأ سامسونج شحن رقائق HBM4 في وقت لاحق من هذا الشهر

من المتوقع أن تبدأ شركة سامسونجtronشحن ذاكرة الجيل التالي عالية النطاق الترددي، HBM4، في وقت لاحق من هذا الشهر. ووفقًا لمصادر مطلعة في القطاع، من المتوقع أن تتم عمليات الشحن بعد عطلة رأس السنة القمرية.

سامسونجtronشركة ستصبح أيضاً أول شركة مصنعة للذاكرة تقوم بتسويق ما يُنظر إليه على نطاق واسع على أنه شريحة تغير قواعد اللعبة في مجال الحوسبة الذكية.

تعتزم الشركة بدء شحن ذاكرة HBM4 إلى شركة Nvidia في الأسبوع الثالث من شهر فبراير. ومن المتوقع أن تستخدم Nvidia هذه الذاكرة في منصة تسريع الذكاء الاصطناعي من الجيل التالي، Vera Rubin.

تستعد سامسونج لبدء شحن ذاكرة HBM4 هذا الشهر

تُشير هذه الخطوة إلى تحوّلٍ إيجابيٍّ في مسيرة سامسونج، التي واجهت تساؤلاتٍ وانتقاداتٍ بشأن قدرتها التنافسية في أجيال ذاكرة HBM السابقة. مع ذاكرة HBM4، تسعى سامسونج إلى تضييق الفجوة، بل والتفوق على منافستها المحلية SK Hynix، التي حققت ريادةً مبكرةً في هذا القطاع بفضل الطلب المتزايد من مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي.

ووفقاً لمسؤول في القطاع، فإن هذه الخطوة تمنح سامسونج الانتعاش الذي كانت في أمس الحاجة إليه في قطاع التكنولوجيا.

وذكر مصدر في الصناعة أيضاً أن كون الشركة أول من ينتج بكميات كبيرة ذاكرة HBM4 ذات الأداء العالي، يمنحها ميزة واضحة في تشكيل السوق بالطريقة التي تريدها.

من المتوقع أن تكشف شركة إنفيديا عن معالجات فيرا روبين المُسرّعة التي تتضمن ذاكرة HBM4 في مؤتمرها السنوي، GTC 2026، المُقرر عقده في وقت لاحق من هذا الشهر. وأشارت سامسونج إلى أن موعد الشحن تم تحديده بعد التنسيق مع خارطة طريق منتجات إنفيديا وجداول اختبارات الأنظمة اللاحقة.

إلى جانب السرعة، يتميز نهج سامسونج التكنولوجي في هذا المنتج أيضاً. فمنذ البداية، خططت الشركة لتحسين المعايير التي وضعتها JEDEC، معتمدةً أول مزيج في الصناعة من عملية تصنيع ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) من الجيل السادس من فئة 10 نانومتر (1c) مع شريحة منطقية 4 نانومتر مصنعة عبر حدودها الخاصة.

ونتيجة لذلك، توفر ذاكرة HBM4 من سامسونج سرعات نقل بيانات تبلغ حوالي 11.7 جيجابت في الثانية، وهو ما يتجاوز بكثير معايير JEDEC البالغة 8 جيجابت في الثانية.

ويمثل هذا الرقم أيضًا تحسنًا بنسبة 37٪ عن المعيار وزيادة بنسبة 22٪ عن الجيل السابق HMB3E.

بحسب المصادر، يصل عرض نطاق الذاكرة لكل وحدة إلى 3 تيرابايت في الثانية، أي ما يعادل 2.4 ضعف سرعة سابقتها. إضافةً إلى ذلك، تتميز بتصميم قابل للتكديس يصل إلى 12 وحدة، مما يتيح سعة تخزين تصل إلى 36 جيجابايت.

تشير تقديرات الصناعة إلى أنه مع تكوينها المستقبلي الذي يصل إلى 16 وحدة تخزين، يمكن أن تنمو السعة إلى 48 جيجابايت.

من المتوقع إجراء المزيد من التحسينات قبل بدء الإنتاج الضخم

على الرغم من استخدام عمليات متطورة، تمكنت سامسونج من تحقيق إنتاجية مستقرة قبل بدء الإنتاج الضخم، مع توقع حدوث المزيد من التحسينات مع زيادة الإنتاج، وفقًا لمصادر الصناعة.

كما تحدثت سامسونج عن كفاءة الطاقة، مشيرة إلى أن HBM4 مصمم لزيادة أداء الحوسبة إلى أقصى حد مع تقليل استهلاك الطاقة، مما يساعد مراكز البيانات على خفض استخدام الكهرباء وتكاليف التبريد.

الشركة أيضاً تتوقع أن يتجاوز حجم مبيعاتها من ذاكرة HBM هذا العام ثلاثة أضعاف حجم مبيعات العام الماضي، وقد قررت تركيب خطوط إنتاج إضافية في خط إنتاجها رقم 4 في حرم بيونغتايك الجامعي لزيادة طاقتها الإنتاجية. ومن المتوقع أن ينتج هذا المرفق ما بين 100,000 و120,000 رقاقة شهرياً، مخصصة لذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية أحادية السن (1c DRAM) المستخدمة في منتجات HBM4، وفقاً لمصادر في القطاع.

في العام الماضي، قامت سامسونج بالفعل ببناء قدرة إنتاجية شهرية تتراوح بين 60,000 و 70,000 رقاقة لعملية تصنيع ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية أحادية النواة (1c DRAM).

مع التوسع المخطط له، يمكن أن يرتفع إجمالي إنتاج 1 سنت المخطط له لـ HBM4 إلى حوالي 200000 رقاقة شهريًا، وهو ما يمثل ربع إجمالي طاقة إنتاج DRAM لشركة سامسونج تقريبًا 780000 رقاقة.

من المتوقع أن تهيمن شركتا سامسونج وإس كيه هاينكس على سوق ذاكرة HBM4، مع خروج شركة مايكرون تكنولوجي الأمريكية من المنافسة. ووفقًا لشركة سيمي أناليسيس المتخصصة في tracالسوق، من المتوقع أن تستحوذ إس كيه هاينكس على حوالي 70% من سوق ذاكرة HBM4، بينما ستستحوذ سامسونج على النسبة المتبقية البالغة 30%.