三星将于本月晚些时候开始交付HBM4芯片

三星电子预计将于本月晚些时候开始交付其下一代高带宽内存HBM4。据业内消息人士透露，交付工作预计将在农历新年假期之后进行。

消息人士补充说，三星电子也将成为首家将广泛视为改变AI计算格局的芯片商业化的内存制造商。

该公司计划最早于2月第三周开始向英伟达交付HBM4。英伟达预计将在其下一代AI加速平台Vera Rubin中使用该内存。

三星将于本月开始HBM4交付

此举标志着三星的命运发生了转变，此前三星在早期HBM世代中面临关于其竞争力的质疑和批评。随着HBM4的推出，三星旨在缩小差距，甚至超越同城竞争对手SK海力士，后者得益于AI数据中心激增的需求而在该领域取得了早期领先优势。

据一位行业官员称，这一举措为三星在科技领域带来了急需的复苏。

该行业消息人士还提到，作为首家大规模生产最高性能HBM4的公司，这使该公司在按照自身意愿塑造市场方面拥有明显的优势。

英伟达预计将在本月晚些时候举行的年度大会GTC 2026上发布搭载HBM4的Vera Rubin加速器。三星表示，交付时间是在与英伟达的产品路线图及下游系统级测试计划协调后确定的。

除了速度之外，三星对该产品的技术方法也值得注意。从一开始，该公司就计划超越JEDEC设定的标准，采用行业首创的第六代10纳米级DRAM (1c)工艺与通过其自有边界生产的4纳米逻辑芯片的组合。

因此，三星的HBM4数据传输速度约为每秒11.7 Gbps，远高于JEDEC的8 Gbps标准。

这一数字也代表了比标准高出37%，比上一代HBM3E高出22%的提升。

据消息人士称，每个堆栈的内存带宽高达每秒3 TB，比其前身高出约2.4倍。此外，它采用了12层堆叠设计，容量高达36 GB。

行业估算显示，随着未来16层配置的推出，容量可能增长至48 GB。

大规模生产前预计将进一步改进

行业消息人士指出，尽管采用了尖端工艺，三星在大规模生产前已实现了稳定的良率，并且随着产量的扩大，预计会有进一步的改进。

三星还谈到了能效问题，指出HBM4旨在最大化计算性能的同时降低能耗，帮助数据中心降低电力使用和冷却成本。

该公司还预计今年其HBM销量将是去年的三倍多，并决定在平泽园区4号线安装额外的生产线以扩大产能。行业消息人士补充说，该设施预计每月生产约10万至12万片晶圆，专门用于HBM4产品中使用的1c DRAM。

去年，三星已经为1c DRAM工艺建立了每月约60,000至70,000片晶圆的产能。

随着计划的扩张，HBM4计划的1c总产量可能每月上升至约200,000片晶圆，约占三星约780,000片晶圆总DRAM产能的四分之一。

HBM4市场预计将由三星和SK海力士主导，美国美光科技已被视为退出竞争。根据市场追踪机构SemiAnalysis的数据，SK海力士预计将占据HBM4市场约70%的份额，而三星将占据剩余的30%。