Samsung comenzará el envío de chips HBM4 a finales de este mes

Se espera que Samsung Electronics comience los envíos de su memoria de alto ancho de banda de próxima generación, HBM4, a finales de este mes. Según fuentes bien informadas de la industria, los envíos deberían ocurrir después del feriado del Año Nuevo Lunar.

Samsung Electronics también está preparada para convertirse en el primer fabricante de memorias en comercializar lo que ampliamente se considera un chip revolucionario para la computación de IA, añadieron las fuentes.

La empresa tiene planes de comenzar a enviar HBM4 a Nvidia tan pronto como la tercera semana de febrero. Se espera que Nvidia utilice la memoria en su plataforma de acelerador de IA de próxima generación, Vera Rubin.

Samsung se prepara para comenzar el envío de HBM4 este mes

El movimiento señala un giro en la fortuna de Samsung, que había enfrentado preguntas y críticas sobre su competitividad en las generaciones anteriores de HBM. Con el HBM4, Samsung tiene como objetivo cerrar la brecha e incluso superar a su rival de la misma ciudad, SK Hynix, que había obtenido una ventaja temprana en el sector gracias a la creciente demanda de los centros de datos de IA.

Según un funcionario de la industria, el movimiento le da a Samsung la recuperación tan necesaria en el sector tecnológico.

La fuente de la industria también mencionó que al ser la primera en producir en masa el HBM4 de máximo rendimiento, le da a la empresa una clara ventaja para dar forma al mercado como desee.

Se espera que Nvidia desvele los aceleradores Vera Rubin que incorporan HBM4 en su conferencia anual, GTC 2026, que se espera se celebre a finales de este mes. Samsung mencionó que el momento del envío se decidió tras la coordinación con la hoja de ruta de productos de Nvidia y los horarios de pruebas a nivel de sistema aguas abajo.

Además de la velocidad, el enfoque tecnológico de Samsung para el producto también es notable. Desde el principio, la empresa planeó mejorar los estándares establecidos por JEDEC, adoptando la primera combinación de la industria de un proceso DRAM de sexta generación de 10 nanómetros (1c) con un die de lógica de 4 nanómetros producido a través de su propia frontera.

Como resultado, el HBM4 de Samsung ofrece velocidades de transferencia de datos de aproximadamente 11,7 Gbps por segundo, muy por encima de los estándares de 8 Gbps de JEDEC.

Esta cifra también representa una mejora del 37% sobre el estándar y una ganancia del 22% sobre la generación anterior HMB3E.

Según las fuentes, el ancho de banda de memoria por pila alcanza hasta 3 terabytes por segundo, que es aproximadamente 2,4 veces mayor que su predecesor. Además, cuenta con un diseño de apilamiento de 12 capas que permite una capacidad de hasta 36 gigabytes.

Con su futura configuración de 16 capas, la capacidad podría crecer hasta 48 GB, según muestran las estimaciones de la industria.

Se esperan más mejoras antes de la producción en masa

A pesar de utilizar procesos de vanguardia, Samsung ha logrado alcanzar un rendimiento estable antes de la producción en masa, con mejoras adicionales previstas a medida que aumente la producción, señalan fuentes de la industria.

Samsung también ha hablado sobre la eficiencia energética, señalando que el HBM4 está diseñado para maximizar el rendimiento de computación mientras reduce el consumo de energía, ayudando a los centros de datos a reducir el uso de electricidad y los costos de refrigeración.

La empresa también espera que el volumen de ventas de HBM este año se más que triplique respecto al año pasado y ha decidido instalar líneas de producción adicionales en la Línea 4 de su Campus de Pyeongtaek para expandir su capacidad. Se espera que la instalación produzca aproximadamente entre 100.000 y 120.000 obleas cada mes, dedicadas a DRAM 1c utilizada en productos HBM4, añadieron fuentes de la industria.

El año pasado, Samsung ya había construido una capacidad mensual de alrededor de 60.000 a 70.000 obleas para el proceso DRAM 1c.

Con la expansión planificada, la producción total de 1c prevista para HBM4 podría aumentar a aproximadamente 200.000 obleas por mes, lo que representa aproximadamente una cuarta parte de la capacidad total de producción de DRAM de Samsung de aproximadamente 780.000 obleas.

Se espera que el mercado de HBM4 esté dominado por Samsung y SK Hynix, con Micron Technology, con sede en EE. UU., ya considerada fuera de la carrera. Según el rastreador de mercado SemiAnalysis, se espera que SK Hynix tome aproximadamente el 70% del mercado de HBM4, mientras que Samsung representará el 30% restante.