SK Hynix enregistre une hausse de 137 % de son bénéfice au T4 à 19,2 T de wons alors que la demande de mémoire IA explose

SK Hynix a clôturé l’année 2025 avec un quatrième trimestre exceptionnel, enregistrant 19,2 billions de wons de bénéfice d’exploitation, en hausse de 137 % par rapport à la même période l’année dernière.

Le chiffre d’affaires a atteint 32,8 billions de wons, en hausse de 34 % d’un trimestre à l’autre. Le bénéfice net s’est établi à 15,2 billions de wons, en hausse de 21 % par rapport au T3. Chaque chiffre a battu un record.

L’année elle-même n’a pas été calme non plus. Le chiffre d’affaires annuel a atteint 97,1 billions de wons, le bénéfice d’exploitation s’est établi à 47,2 billions de wons et le bénéfice net à 42,9 billions de wons. Il s’agit de records absolus. La marge d’exploitation de SK était de 49 %, tandis que la marge nette s’établissait à 44 %.

Par rapport à 2024, cela représente une augmentation de 30 billions de wons du chiffre d’affaires, et le bénéfice a plus que doublé. L’année précédente avait enregistré 66,1 billions de wons de chiffre d’affaires et 23,4 billions de wons de bénéfice d’exploitation.

La HBM mène la hausse des bénéfices, suivie par la DRAM et la NAND

Les ventes de HBM ont plus que doublé d’une année sur l’autre, tirant les gains. SK a déclaré être le seul fournisseur capable de livrer simultanément de la HBM3E et de la HBM4. Ils ont commencé la production en masse de la HBM4 en septembre. À la fin de l’année, ils avaient entamé les livraisons à grande échelle pour répondre aux commandes. Ils ont également indiqué que la demande de HBM personnalisée continuait d’augmenter.

La DRAM pour serveurs de SK Hynix a également connu une grande année. Ils ont commencé la production à pleine échelle de leur processus 1cnm, la sixième génération de leur technologie 10nm. Ils ont également présenté un RDIMM DDR5 de 256 Go, fabriqué avec de la DRAM de classe 1b 32Gb, destiné aux acheteurs hyperscale.

Du côté de la NAND, la demande a été lente au premier semestre, mais s’est accélérée rapidement. Ils ont achevé le développement des produits QLC à 321 couches et répondu à la demande d’eSSD au deuxième semestre. Cela a poussé la NAND à atteindre son chiffre d’affaires le plus élevé jamais enregistré.

SK a déclaré que davantage d’entreprises d’IA passent des modèles d’entraînement aux modèles d’inférence, ce qui accroît le besoin de mémoire. Ils s’attendent à ce que la DRAM pour serveurs et la NAND continuent de croître avec la HBM. Le besoin ne porte pas seulement sur la performance. Il porte sur le volume.

SK étend ses usines et approuve un retour massif aux actionnaires

SK Hynix a déclaré qu’elle augmentait la production à l’usine M15X à Cheongju et construisait sa première usine au cluster de semi-conducteurs de Yongin. Elle étend également ses installations de conditionnement à Cheongju et en Indiana pour gérer à la fois la fabrication en amont et en aval dans différents lieux. C’est ainsi qu’elle compte suivre le rythme des commandes.

Elle redistribue également de l’argent aux actionnaires. L’entreprise versera un dividende spécial de 1 billion de wons, soit 1 500 wons par action. Combiné au dividende régulier de 375 wons, le dividende total de fin d’année atteint 1 875 wons. Cela porte le dividende total pour l’exercice 2025 à 3 000 wons par action, soit un total de 2,1 billions de wons.

De plus, elle annule 15,3 millions d’actions propres, soit 2,1 % du total des actions en circulation, d’une valeur d’environ 12,2 billions de wons sur la base du prix de clôture du 27. L’entreprise a déclaré que cela montre son engagement envers la valeur à long terme des actionnaires.

Song Hyun Jong, président de SK, a déclaré qu’ils resteraient concentrés sur la performance tout en équilibrant les investissements futurs. « Nous renforcerons notre rôle non seulement en tant que fournisseur de produits, mais en tant que partenaire d’infrastructure central à l’ère de l’IA, permettant aux clients de répondre à leurs exigences de performance IA », a déclaré Song.

Pour l’avenir, SK Hynix prévoit d’étendre sa gamme de mémoires IA. Pour la DRAM, cela inclut le SOCAMM2 et le GDDR7. Pour la NAND, l’entreprise souhaite rester en tête en utilisant la technologie à 321 couches et répondre aux besoins de stockage des centres de données IA grâce aux eSSD QLC de Solidigm.

Ils ont également déclaré qu’ils travailleraient en étroite collaboration avec les clients pour rester en avance sur les problèmes d’approvisionnement.