Samsung представила UFS 5.0 на фоне резкого падения корейских акций ИИ

Samsung Electronics объявила об успешной разработке Universal Flash Storage 5.0 (UFS 5.0), обеспечивающей последовательную скорость чтения до 10,8 ГБ/с — самый высокий показатель, зафиксированный для данного стандарта.

Продукт выпускается на фоне увеличения миграции рабочих нагрузок ИИ из облачных дата-центров на периферийные устройства, что делает все более необходимым превращение систем хранения в потенциальное узкое место для производительности вывода моделей на устройстве.

Это происходит, когда индекс KOSPI Южной Кореи испытал падение почти на 10% во вторник из-за распродажи ключевых акций полупроводников и технологических компаний на фоне слабости американских технологических акций. Индекс снизился на 910,71 пункта, что составило падение на 9,99% до уровня 8 203,84, после того как изначально вырос выше отметки 9 175 пунктов в ходе волатильной торговли.

Это был четвертый случай в этом году и десятый раз в истории, когда торги на рынке были приостановлены. Ключевые компании зафиксировали значительное снижение котировок: Samsung Electronics — на 12,31%, SK Hynix — на 12,47%, Hyundai Motor — на 12,05% и LG Energy Solution — на 6,1%..

Samsung ускоряет развитие локального ИИ

Согласно отчету Samsung, скорости последовательного чтения и записи, предлагаемые UFS 5.0, в два раза выше, чем у UFS 4.1, доступной в современных флагманских смартфонах. В частности, производительность последовательной записи может достигать 9,5 ГБ/с.

Пропускная способность систем хранения важна для больших языковых моделей, поскольку при локальном запуске эти модели должны загружаться из флеш-памяти в DRAM для выполнения вывода, что делает пропускную способность важным ограничивающим фактором.

Это можно пояснить с помощью простой числовой иллюстрации. Загрузка модели с 7 миллиардами параметров, которая в 4-битной конфигурации занимает 4–5 ГБ, при скорости 4,6 ГБ/с в случае UFS 4.1 займет 0,98 секунды. С другой стороны, для UFS 5.0 выполнение этой задачи займет 0,42 секунды. Это сокращает время примерно на 57%, даже без учета системных накладных расходов или тепловых ограничений.

Хранение данных берет на себя основную нагрузку

Производительность ИИ на устройстве все больше определяется перемещением данных через память, а не только вычислительными возможностями.

Обычно во время вывода параметры модели хранятся в памяти UFS, загружаются в DRAM и обрабатываются системным чипом (SoC). С увеличением размера моделей пропускная способность хранения ограничивает отзывчивость системы.

Samsung достигла максимальной пропускной способности протокола HS-GEAR6, который был введен в рамках MIPI M-PHY 6.0 и интегрирован в стек UFS 5.0. Интерфейс обеспечивает до 46,6 Гбит/с на каждую линию, что означает 10,8 ГБ/с для двунаправленного интерфейса.

Участники отрасли, похоже, на пути к достижению тех же показателей. KIOXIA начала поставки образцов UFS 5.0 объемом 512 ГБ и готовится к запуску моделей на 1 ТБ, что указывает на то, что сектор мобильной памяти медленно переходит на общую платформу, предлагающую более быструю память с поддержкой ИИ.

Ралли полупроводников сталкивается с резким откатом на корейском фондовом рынке

Это происходит на фоне того, что фондовый рынок Южной Кореи, heavily нагруженный полупроводниковыми акциями, переживает резкие колебания. В частности, 23 июня индекс KOSPI испытал общую распродажу, инициированную технологическими компаниями, где акции Samsung Electronics и SK Hynix упали на двузначные величины, поскольку иностранные фонды продавали позиции в перегретых сделках с ИИ.

Это следует за уверенным ралли в секторе полупроводников, длившимся несколько месяцев и движимым спросом на ИИ. Два технологических гиганта достигли оценки стоимости более 1 триллиона долларов каждый благодаря высоким ценам на память, используемую в чипах ускорителей ИИ и оборудовании для дата-центров.

SK Hynix даже удалось опередить Samsung Electronics, став самой дорогой публичной компанией Южной Кореи благодаря своей вовлеченности в цепочку производства HBM для Nvidia и гиперскейловых облачных провайдеров.

Это демонстрирует, насколько индекс KOSPI стал концентрированным, особенно в отношении полупроводниковых акций, вес которых в индексе усиливает эффект быстрых изменений в позиционировании по глобальным сделкам с ИИ. 

Иностранные потоки и давление на оценки влияют на акции корейских чипов

В последние торговые сессии наблюдается снижение интереса иностранных инвесторов к технологическим акциям в Южной Корее, причем распродажи особенно затронули крупные полупроводниковые компании.

Две крупнейшие полупроводниковые компании, Samsung Electronics и SK Hynix, в настоящее время видят снижение своих котировок акций синхронно с общим индексом рынка в процессе ребалансировки после всплеска, вызванного технологией ИИ.

Коррекция цен рассматривается не как результат какого-либо конкретного триггера, а скорее как снижение спекулятивного ажиотажа вокруг акций ИИ, которые показывают слабые результаты, но имеют привлекательную оценку стоимости.

Как рост, так и падение цен на акции полупроводников во многом обусловлены притоком иностранного капитала. Ранее активные продажи акций полупроводниковых компаний приводили к значительным внутридневным колебаниям индекса KOSPI, особенно когда глобальные настроения в отношении технологических акций были негативными.

Тем не менее, несмотря на недавнее движение цен, фундаментальные показатели полупроводниковой отрасли соответствуют требованиям инфраструктуры ИИ: SK Hynix выигрывает благодаря своим возможностям в области памяти с высокой пропускной способностью (HBM), используемой при обучении ИИ, тогда как Samsung имеет присутствие в сегментах DRAM, NAND и упаковки чипов.

В то же время настроения стали осторожными после продолжительного роста акций ИИ, и участники рынка теперь ставят под сомнение рост оценок стоимости. Макроэкономические условия, включая рост доходности облигаций в США, а также отток капитала от акций роста, дополнительно усилили давление, что привело к одновременному падению полупроводниковых индексов в Азии.