- A Samsung revelou armazenamento UFS 5.0 com velocidades sequenciais de leitura de até 10,8 GB/s, aproximadamente dobrando o desempenho da atual tecnologia UFS 4.1 e melhorando os tempos de carregamento de modelos de IA no dispositivo.
- Armazenamento mais rápido aborda um gargalo crescente para inferência de IA local, já que grandes modelos de linguagem dependem cada vez mais de movimentação rápida de dados entre armazenamento flash e DRAM.
- Fabricantes rivais de memória também estão adotando o UFS 5.0, sinalizando um impulso generalizado na indústria em direção a padrões de armazenamento móvel otimizados para IA.
A Samsung Electronics revelou o desenvolvimento bem-sucedido de seu Universal Flash Storage 5.0 (UFS 5.0), oferecendo velocidades de leitura sequencial de até 10,8 GB/s, a mais rápida registrada neste padrão.
O produto está sendo lançado em meio ao aumento da migração de cargas de trabalho de IA de data centers em nuvem para dispositivos de borda, tornando cada vez mais necessário que os sistemas de armazenamento se tornem um potencial gargalo de desempenho para inferência em dispositivo.
This comes in when the KOSPI Index of South Korea experienced an almost 10% drop on Tuesday due to the selling off of key semiconductor and technology stocks amid weak US tech stocks. The index declined by 910.71 points, representing a fall of 9.99% to end at 8,203.84 having initially risen above 9,175 levels in volatile trading.
Foi a quarta vez neste ano e a décima vez na história que a negociação foi suspensa no mercado. Empresas-chave registraram quedas significativas no mercado, incluindo Samsung Electronics em 12,31%, SK Hynix em 12,47%, Hyundai Motor em 12,05% e LG Energy Solution em 6,1%.
Samsung acelera IA local
De acordo com o relatório da Samsung, as velocidades de leitura e escrita sequenciais oferecidas pelo UFS 5.0 são o dobro das oferecidas pelo UFS 4.1 disponível nos smartphones topo de linha de hoje. Em particular, o desempenho de escrita sequencial pode atingir 9,5 GB/s.
A capacidade de processamento dos sistemas de armazenamento é importante para grandes modelos de linguagem porque, quando executados localmente, esses modelos precisam ser carregados da memória flash para a DRAM para inferência, tornando a largura de banda uma limitação importante.
Isso pode ser explicado com a ajuda de uma simples ilustração numérica. Carregar o modelo de 7 bilhões de parâmetros, que de outra forma requer 4-5 GB de espaço em uma configuração de 4 bits, levará 0,98 segundos com uma velocidade de 4,6 GB por segundo no caso do UFS 4.1. Por outro lado, levará 0,42 segundos para o UFS 5.0 fazer o trabalho. Isso marca uma diminuição no tempo de cerca de 57%, sem mesmo contabilizar qualquer sobrecarga do sistema ou limitações térmicas.
O armazenamento faz o trabalho pesado
O desempenho da IA em dispositivo está sendo cada vez mais determinado pelo movimento de dados através da memória, em vez de apenas pelas capacidades computacionais.
Normalmente, durante a inferência, os parâmetros do modelo são armazenados no armazenamento UFS, carregados na DRAM e computados pelo sistema-on-chip (SoC). Com o aumento do tamanho dos modelos, a largura de banda do armazenamento limita a capacidade de resposta do sistema.
A Samsung atinge a capacidade de processamento máxima do protocolo HS-GEAR6, que foi introduzido como parte do MIPI M-PHY 6.0 e incorporado na pilha UFS 5.0. A interface fornece até 46,6 Gbps para cada canal, significando 10,8 GB/s por interface de canal duplo.
Os participantes da indústria parecem estar no caminho para o mesmo desempenho. A KIOXIA iniciou o envio de amostras UFS 5.0 de 512GB e se prepara para lançar modelos de 1TB, indicando que o setor de armazenamento móvel está lentamente adotando uma plataforma comum que oferece soluções de memória mais rápidas e capazes de IA.
Rally de semicondutores encontra forte retração em ações coreanas
Isso ocorre em um momento em que o mercado de ações coreano, carregado de semicondutores, está experimentando oscilações acentuadas. Especificamente, em 23 de junho, o KOSPI experimentou uma venda geral liderada por ações de tecnologia, onde Samsung Electronics e SK Hynix caíram em dígitos duplos à medida que fundos estrangeiros vendiam posições superlotadas de IA.
Isso segue um rally robusto por vários meses em semicondutores impulsionado pela demanda de IA. Os dois gigantes da tecnologia haviam atingido uma avaliação de mais de US$ 1 trilhão cada, impulsionados por fortes preços de memória usada em chips aceleradores de IA e hardware de data center.
A SK Hynix até conseguiu superar a Samsung Electronics para se tornar a empresa listada mais valiosa da Coreia do Sul devido à sua exposição à cadeia de produção de HBM para a Nvidia e provedores de nuvem em escala hiperscalar.
Isso ilustra como o índice KOSPI se tornou muito concentrado, especialmente em ações de semicondutores, cujo peso no índice aumenta o efeito de mudanças rápidas nas posições em negociações de IA globalmente.
Fluxos estrangeiros e pressões de avaliação afetam ações de chips coreanas
Tem havido redução no interesse de investidores estrangeiros em ações de tecnologia na Coreia do Sul nas sessões de negociação recentes, com a venda acontecendo particularmente em grandes empresas de semicondutores.
As duas maiores empresas de semicondutores, Samsung Electronics e SK Hynix, estão atualmente vendo seus preços de ações caírem em tandem com o índice geral do mercado à medida que ocorre o rebalanceamento após a subida causada pela tecnologia de IA.
A correção nos preços é vista não como resultado de qualquer gatilho específico, mas sim como uma redução em uma negociação de IA especulativa quente para subdesempenhadores cuja avaliação parece boa.
Tanto o aumento nos preços das ações de semicondutores quanto sua queda podem ser atribuídos em grande parte aos fluxos de entrada estrangeiros. A venda pesada anteriormente em empresas de semicondutores levou a grandes movimentos intradiários no KOSPI, especialmente quando o sentimento nas ações de tecnologia estava negativo globalmente.
No entanto, apesar da recente movimentação nos preços, os fundamentos da indústria de semicondutores estão em sintonia com os necessários para a infraestrutura de IA, com a SK Hynix se beneficiando de suas capacidades em memória de alta largura de banda usada no treinamento de IA, enquanto a Samsung tem exposição a DRAM, NAND e embalagem.
Ao mesmo tempo, o sentimento tornou-se cauteloso após a ascensão prolongada em ações de IA, com a valorização agora sendo questionada pelos participantes do mercado. As condições macro, que apresentam um aumento nos rendimentos de títulos nos EUA, bem como uma rotação para longe de ações de crescimento, adicionaram ainda mais pressões, resultando em uma queda simultânea nos índices de semicondutores baseados na Ásia.
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Ashish Kumar
Ashish Kumar é jornalista de cripto e finanças com oito anos de experiência em redações. Ele cobre o que acontece com os mercados de cripto, regulação, DeFi e ecossistemas de exchanges. Trabalhou na Coingape, Todayq e Newsroompost. Ashish possui pós-graduação em Jornalismo Inglês pelo IIMC. Também entrevistou figuras do setor, incluindo Arthur Hayes, Yat Siu, Austin Federa e outros.
