SK海力士在HBM4芯片开发方面取得重大里程碑

周五，SK海力士完成了HBM4的开发，这是其下一代超高性能AI内存产品。该公司还为客户建立了高带宽内存芯片的大规模生产系统。

这家韩国公司表示，该半导体芯片垂直互连多个DRAM芯片，与传统的DRAM产品相比，提高了数据处理速度。该公司认为，HBM4芯片的大规模量产将引领AI行业。 

SK海力士准备量产HBM4

SK海力士基于近期AI需求和数据处理的大幅增长开发了其产品，这需要高带宽内存以实现更快的系统速度。该公司还 认为 指出，由于数据中心运营的功耗激增，确保内存能效已成为客户的关键需求。

这家半导体供应商希望HBM4增加的带宽和能效将成为满足客户需求的最佳解决方案。下一代HBM4的生产涉及垂直堆叠芯片以节省空间并降低功耗，这有助于处理复杂AI应用产生的大量数据。

“HBM4开发的完成将是行业的新里程碑。通过及时供应在性能、能效和可靠性方面满足客户需求的产品，公司将实现上市时间并保持竞争优势。”

–赵柱焕，SK海力士HBM开发负责人。

这家韩国公司透露，其新产品拥有业界最佳的数据处理速度和能效。据报道，该芯片通过采用2,048个I/O端子，带宽较上一代翻了一番，能效飙升了40%以上。

SK海力士还强调，当应用该产品时，HBM4将把AI服务性能提高多达69%。该举措旨在解决数据瓶颈并降低数据中心电力成本。

该公司透露，HBM4通过在产品中集成超过10Gbps的速度，超过了联合电子器件工程委员会（JEDEC）的标准运行速度（8Gbps）。JEDEC是为微电子行业制定开放标准和出版物全球标准化机构。

SK海力士还在HBM4中集成了先进的MR-MUF（大规模回流模塑底部填充）工艺，该工艺允许堆叠芯片并在芯片之间注入液体保护材料，以保护芯片之间的电路并使其硬化。 

该公司表示，与为每个芯片堆叠铺设薄膜材料的方法相比，该工艺在市场上的散热方面已被证明更可靠且更高效。SK海力士认为，其先进的MR-MUF技术通过提供良好的翘曲控制并减少堆叠芯片上的压力，有助于确保HBM的稳定量产。

该公司还在HBM4中采用了1bnm工艺，这是10纳米技术的第五代。SK海力士表示，这有助于最大限度地降低市场生产中的风险。该公司AI基础设施负责人Justin Kim表示，SK海力士 计划 通过提供AI行业所需的最佳质量和多样化性能的内存产品，成长为全栈AI内存提供商。

SK海力士股价飙升 

在HBM4发布后，SK海力士的股价在周五创下历史新高， 激增 最高上涨6.60%，至327,500韩元（235.59美元）。该公司股价在过去五天内也上涨了约17.5%，在过去一个月内上涨了近22%。

Meritz证券的高级分析师金善宇预测，该公司2026年的HBM市场份额将保持在60%出头的低位。他认为，这将得益于向关键客户早期供应HBM4以及由此产生的先发优势。

SK海力士向英伟达供应最多的HBM半导体芯片，其次是三星电子和美光，它们供应的体积较小。该公司HBM业务规划负责人崔俊永， 预测 指出，AI内存芯片市场到2030年每年将增长30%。 

俊永表示，终端用户对AI的需求非常强劲。他还看到云计算公司在AI资本支出方面的数百亿美元在未来将被上调。