SK海力士在HBM4芯片研发方面取得重大里程碑

周五，SK海力士完成了其面向超高性能人工智能的下一代内存产品HBM4的研发。该公司还为客户建立了高带宽内存芯片的量产系统。.

这家韩国公司表示，其生产的半导体芯片垂直互连多个DRAM芯片，与传统DRAM产品相比，数据处理速度显著提升。该公司认为，HBM4芯片的量产将引领人工智能产业的发展。. 

SK海力士准备量产HBM4

SK海力士基于近期matic 人工智能和数据处理需求的急剧增长，开发了这款产品。这些增长需要高带宽内存来提升系统速度。该公司还 ， 随着数据中心运行能耗的激增，确保内存的能效已成为客户的关键需求。

这家半导体供应商希望HBM4更高的带宽和能效能够成为满足客户需求的最佳解决方案。下一代HBM4的生产采用了芯片垂直堆叠技术，以节省空间并降低功耗，这有助于处理复杂人工智能应用产生的大量数据。.

“HBM4的研发完成将是行业的一个新里程碑。通过及时提供满足客户在性能、能效和可靠性方面需求的产品，公司将按时完成上市任务，并保持竞争优势。”

–Joohwan Cho，SK 海力士 HBM 开发主管。

这家韩国公司透露，其新产品拥有业内最佳的数据处理速度和能效。报告称，该芯片采用2048个I/O接口，带宽比上一代产品翻了一番，能效也提升了40%以上。.

SK海力士还表示，HBM4芯片应用后，可将AI服务性能提升高达69%。此举旨在解决数据瓶颈问题，并降低数据中心电力成本。.

该公司透露，HBM4 的传输速率超过 10Gbps，超过了联合tron 器件工程委员会 (JEDEC) 的标准运行速率 (8Gbps)。JEDEC 是全球tron行业开放标准和出版物的制定机构。.

SK 海力士还在 HBM4 中采用了先进的 MR-MUF（大体积回流成型底部填充）工艺，该工艺允许将芯片堆叠起来，并在芯片之间注入液态保护材料，以保护芯片之间的电路并使其硬化。. 

该公司表示，与为每个芯片堆叠层铺设薄膜材料的方法相比，该工艺在散热方面已被证明更可靠、更高效。SK海力士认为，其先进的MR-MUF技术能够有效控制翘曲并降低堆叠芯片的压力，从而有助于确保HBM的稳定量产。.

该公司还在HBM4中采用了10纳米工艺，这是10纳米技术的第五代产品。SK海力士表示，这有助于最大限度地降低市场量产的风险。该公司人工智能基础设施负责人Justin Kim表示，SK海力士 计划 通过提供人工智能行业所需的高质量、高性能的内存产品，发展成为全栈式人工智能内存供应商。

SK海力士股价飙升 

HBM4发布后，SK海力士股价周五创下历史新高， 涨幅 高达6.60%，达到327,500韩元（约合235.59美元）。该公司股价在过去五天内累计上涨约17.5%，过去一个月累计上涨近22%。

Meritz Securities 的高级分析师 Kim Sunwoo 预测，到 2026 年，该公司 HBM 市场份额将保持在 60% 左右。他认为，这将得益于早期向主要客户供应 HBM4 以及由此产生的先发优势。.

SK海力士是英伟达最大的HBM半导体芯片供应商，其次是三星电子tron光，后两者的供应量较小。该公司HBM业务规划负责人崔俊勇 预测 ，到2030年，人工智能内存芯片市场将以每年30%的速度增长。 

Joon-yong表示，终端用户对人工智能的需求非常tron。他还认为，未来云计算公司在人工智能领域的数十亿美元资本支出预期将会上调。.