الصين تحث هولندا على تصحيح "أخطاء" شركة نيكسبيريا مع تصاعد التوترات العالمية في قطاع أشباه الموصلات

تتصاعد التوترات العالمية في قطاع أشباه الموصلات مع ضغط الصين على هولندا لإلغاء عملية استحواذ على شركة رقائق إلكترونية، في حين تسارع جهودها لبناء صناعة أشباه الموصلات المحلية الخاصة بها.

دعت الصين هولندا يوم الأربعاء إلى تصحيح ما وصفته بأخطاء جسيمة في التعامل مع شركة أشباه موصلات هولندية صينية، مطالبةً باتخاذ إجراءات فورية لحماية عمليات تصنيع الرقائق في جميع أنحاء العالم.

تطالب الصين هولندا بتصحيح عملية الاستحواذ على شركة نيكسبيريا

وزارة التجارة الصينية ردًا حادًا بعد أن دافع وزير الشؤون الاقتصادية الهولندي، فينسنت كاريمانز، عن قرار حكومته بالاستحواذ على شركة نيكسبيريا. وقال متحدث باسم الوزارة إن الصين أبلغت هولندا مرارًا وتكرارًا أن التدخل الحكومي غير المشروع في أعمال نيكسبيريا قد أضر بسلسلة توريد أشباه الموصلات العالمية، محملةً السلطات الهولندية المسؤولية الكاملة.

ووفقاً للوزارة، فإن هولندا لا تُبدي أي قلق وتواصل المضي قدماً في نهجها، وتُظهر انعداماً تاماً للشعور بالمسؤولية تجاه حماية سلسلة التوريد العالمية لأشباه الموصلات، بينما لا تتخذ أي خطوات حقيقية لحل المشكلة.

في سبتمبر الماضي، استحوذت هولندا على شركة نيكسبيريا، وهي شركة تعمل في البلاد ولكنها مملوكة لشركة وينغتك الصينية. وصرح مسؤولون هولنديون بأن تحركهم جاء لمنع المؤسس من نقل المعرفة الفنية للشركة وعمليات التصنيع إلى الصين. وفي الوقت نفسه، انتقدت بكين الإجراءات الهولندية، وفرضت متطلبات محلية جديدة تلزم مصانع أشباه الموصلات في الصين بشراء نصف معداتها على الأقل من موردين محليين.

يأتي نزاع نيكسبيريا في الوقت الذي تكثف فيه الصين جهودها لبناء قدراتها الخاصة في تصنيع الرقائق، مما يدل على خطة واضحة لتأمين التكنولوجيا الحيوية داخل البلاد وخارج حدودها.

أعلنت شركة صينية لتصنيع الرقائق الإلكترونية عن طرح عام بقيمة 4.22 مليار دولار

أعلنت شركة ChangXin Memory Technologies Corp، أكبر منتج لرقائق DRAM في الصين، يوم الثلاثاء عن خطط لجمع 29.5 مليار يوان، أي ما يعادل 4.22 مليار دولار، من خلال بيع 10.6 مليار سهم للجمهور في شنغهاي.

وتخطط الشركة، التي تحدت منافسيها الكوريين الجنوبيين والأمريكيين الشهر الماضي من خلال طرح أحدث رقائق ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية DDR5، لإنفاق الأموال الناتجة عن بيع الأسهم على تحسين خطوط الإنتاج وتطوير قدراتها التقنية، وفقًا للوثائق المقدمة يوم الثلاثاء.

وأضافت الشركة أن جزءًا من الأموال سيذهب لتطوير نسخ أفضل من ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية، أو DRAM.

ساعدت الحكومة في تأسيس شركة ChangXin Memory Technologies عام 2016 كجزء من مساعي الصين لتعزيز مكانتها في سوق ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) العالمية. وتسيطر حاليًا على هذا السوق شركات سامسونج إلكترونيكسtronكيه هاينكس الكورية الجنوبية، إلى جانب شركة مايكرون تكنولوجي الأمريكية.

بعد تسع جولات من الاستثمار جلبت أموالاً من شركتي علي بابا وشاومي، ابتكرت الشركة أربعة أجيال مختلفة من تقنية ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM).

تمتلك الشركة حصة صغيرة من السوق العالمية

تدير شركة ChangXin Memory Technologies ثلاثة مصانع تنتج رقائق ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) بحجم 12 بوصة. يقع اثنان منها في بكين، بينما يقع المقر الرئيسي في مدينة خفي، وهي مدينة في مقاطعة آنهوي في شرق الصين.

استحوذت الشركة على 4% من ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) خلال الربع الثاني من هذا العام. في المقابل، سيطرت شركات مايكرون، وإس كيه هاينكس، وسامسونج مجتمعةً على أكثر من 90% من السوق، وفقًا لبيانات شركة الأبحاث أومديا الواردة في التقرير.

تستثمر شركة تصنيع الرقائق موارد كبيرة في ذاكرة النطاق الترددي العالي، والتي تسمى HBM، وهي نوع خاص من ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) اللازمة لمعالجات الكمبيوتر المتقدمة مثل رقائق الرسومات التي تصنعها Nvidia لبرامج الذكاء الاصطناعي.

ترغب الشركة في البدء في تصنيع منتجات HBM بحلول نهاية عام 2026 في مصنع التعبئة والتغليف الجديد الذي تقوم ببنائه في شنغهاي، المركز التجاري للصين.

تتوقع شركة ChangXin Memory Technologies أن تقفز المبيعات بنسبة تصل إلى 140٪ مقارنة بالعام الماضي في عام 2025، مدفوعة بارتفاع أسعار الذاكرة وزيادة المبيعات منذ يوليو.

تتوقع الشركة أن تبدأ بتحقيق الأرباح في أقرب وقت ممكن عام 2026، وذلك تبعاً لعدد رقائق السيليكون التي تشحنها وأسعارها. وقد تكبدت خسائر بلغت 8.32 مليار يوان في عام 2022، و16.3 مليار يوان في عام 2023، و7.1 مليار يوان في عام 2024.

وخلال الأشهر الستة الأولى من هذا العام، سجلت الشركة خسارة قدرها 2.3 مليار يوان، وفقًا للبيان المقدم.