前三星电子员工因向中国泄露芯片技术而被起诉

前三星电子员工被指控向中国的长鑫存储泄露该公司的先进技术和制造流程。

三星和其他受影响的公司因技术盗窃而记录了数万韩元的估计损失。

长鑫存储从三星窃取技术

韩国当局指控10名个人窃取并向中国芯片制造商长鑫存储(CXMT)转移关键的半导体制造技术。

首尔中央地方检察厅宣布，在起诉的10人中，5名嫌疑人仍被拘留，5人被保释。起诉涉及违反韩国工业技术保护法。

检察官揭露，一名准备加入CXMT的前三星研究员在离开公司前，手工抄写了该公司1.6万亿韩元技术的数百个制造步骤。

这些手写笔记包含了关于设备规格、生产顺序和良率优化技术的极其详细的信息。CXMT后来利用这些笔记在其自己的设施中重建了三星的制造流程。

仅在2025年上半年，韩国就开启了8起技术泄露案件，其中5起涉及中国作为被盗信息的接收方。

技术盗窃的法律后果相对较轻，但韩国在2024年初修订了预防法，对违规者处以更严厉的监禁和更高的罚款。

CXMT对窃取的技术做了什么？

CXMT调整并验证了窃取的数据以使其与其自己的设备兼容，并成功在2023年生产了自己的10纳米DRAM。由于这次盗窃，CXMT成为首家生产如此先进节点芯片的中国芯片制造商。

检察官发现，CXMT还通过一家未具名的供应商从SK海力士获得了额外的DRAM技术。

今年5月早些时候，一名姓金的SK海力士员工因向华为海思部门泄露先进芯片封装和CMOS图像传感器技术，被判处五年监禁并罚款3000万韩元。

据称，金拍摄了约11,000页的技术文件，并在分享敏感信息之前删除了保密标记。

在另一起2024年的案件中，当局在韩国机场抓获了一名中国籍男子，他试图在打印超过3000页半导体缺陷分析数据后离开该国。该嫌疑人自2013年起就在SK海力士工作。

检察官解释说，CXMT利用从三星非法获得的制造流程，开发出了自己的高带宽内存（HBM）芯片，这是构建用于机器学习和数据中心操作的AI加速器和图形处理单元的客户的热销商品。

韩国当局估计，考虑到潜在的市场损失和研发成本等因素，对三星电子等公司的财务损害至少达数万韩元。

在技术被盗时，三星是唯一一家成功商业化10纳米DRAM生产的公司。

上个月，CXMT推出了其最新一代的DRAM产品，称为DDR5。Cryptopolitan报道称，该公司正寻求在上海证券交易所上市，目标估值为420亿美元。