英伟达转向智能手机式内存预计将在2026年推高服务器内存价格。

英伟达决定围绕智能手机式内存芯片重新设计其人工智能服务器，此举引发了半导体行业的动荡。Counterpoint Research 的研究表明，到 2026 年底，这一转变可能会使全球服务器内存价格翻一番。 

根据这项研究，英伟达已将服务器内存从DDR5转向LPDDR，这是一种低功耗芯片，常用于移动设备。此举是英伟达降低人工智能服务器功耗努力的一部分，人工智能服务器在现代数据中心一直被认为是高能耗设备。

尽管英伟达采用的新架构将降低运营成本，但一些分析师认为，这给整个 内存供应链。 

由于三星和美光优先发展人工智能领域的HBM芯片，DRAM价格飙升171%。

目前，内存制造商已将大部分精力转向高带宽内存（HBM），这种内存主要用于先进的人工智能加速器，导致DRAM内存产量下降。tron据Counterpoint Research这已造成多个行业普遍出现内存短缺。 

等主要内存部件制造商 三星tron，低端DRAM内存产能有所下降，并将大部分精力转向了HBM内存。这一短缺导致 飙升 ，第三季度同比上涨171.8%。由于供应链重心转向人工智能数据中心客户，用于PC的DDR5组件零售价格也在短时间内翻了一番。 

据Counterpoint Research称， 英伟达 对其内存架构的调整带来了新的压力。例如，常用于智能手机的LPDDR内存，如今正被大规模生产以满足人工智能服务器的需求，这使得英伟达市值跻身行业领先企业之列。该研究警告称，将LPDDR重新定位为人工智能数据中心的核心组件，对供应链而言是一次巨大的变革，难以轻易适应。 

Counterpoint发布的研究显示，这种转变给整个半导体行业带来了两难境地：芯片制造商们正努力抉择，究竟是应该集中精力提高LPDDR的产能（这可能会加剧其他领域的内存短缺），还是应该优先生产HBM以满足人工智能加速器的需求。研究表明，这两种选择都会对全球内存市场构成风险。 

DRAM 和 LPDDR 的短缺威胁着云基础设施成本的上升

根据这项研究，LPDDR需求的增长预计将导致服务器内存价格在2026年底前翻一番。研究指出，云服务提供商、人工智能开发商和超大规模数据中心运营商将直接受到冲击，但他们目前已经面临着GPU和电力基础设施升级相关成本上涨的困境。 

美光、SK海力士和三星已经投资建设了高带宽和先进的DRAM生产能力。转向LPDDR意味着需要新的芯片制造商，而研究指出，这些制造商需要大量资金投入，并且需要数年的研发周期。值得注意的是，在2023年后的内存市场低迷时期，该行业投资不足，导致半导体行业产能有限，难以应对人工智能驱动的突如其来的需求。 

受2025年人工智能支出增长预期的影响，英伟达股价迄今已飙升至新高，涨幅约35%。目前，该股股价较 2025 年同期上涨23%，报181美元，年初至今的股价波动区间为86.63美元至212.19美元。年初至今，该股股价已翻番，目前价格出现短暂回落。该公司市值目前为4.4万亿美元，位列全球市值最高的公司之列，超过微软和谷歌。 

威刚（ADATA）预测，DRAM价格将 持续 上涨，直至2026年底，消费、企业和工业领域都将持续面临供应短缺。英伟达预计将于今日发布财报。