英伟达转向智能手机式内存，预计将使服务器内存价格在2026年上涨20%

英伟达决定围绕智能手机式内存芯片重新设计其AI服务器，这引发了半导体行业的动荡。Counterpoint Research 的研究显示，这一转变可能导致全球服务器内存价格在2026年底翻倍。 

根据该研究，英伟达已从DDR5服务器内存转向LPDDR，这是一种常用于移动设备的低功耗芯片。这一转变是英伟达减少AI服务器功耗努力的一部分，而AI服务器在现代数据中心中被认为是高能耗的。

尽管英伟达采用的新架构将降低运营成本，但一些分析师认为，这正在给 内存供应链. 

DRAM价格飙升171%，三星和美光优先生产HBM

到目前为止，内存制造商已将大部分注意力转向高带宽内存（HBM），这种内存主要用于先进的AI加速器，导致DRAM内存产量减少。根据Counterpoint的说法，DRAM广泛用于从消费电子到汽车电子的各个领域 研究，这导致了多个行业的广泛短缺。 

内存部件的主要制造商，如 三星电子、SK海力士和美光，承认降低了低端DRAM内存产能的产量，将其大部分注意力集中在HBM上。短缺导致 收益率飙升 DRAM价格飙升，第三季度同比上涨171.8%。由于供应链注意力转向AI数据中心客户，PC用DDR5组件的零售价格在短时间内也翻了一番。 

根据Counterpoint Research的说法， Nvidia 的 其内存架构的转变增加了一层新的压力。例如，LPDDR通常用于智能手机，现在正大规模生产以满足AI服务器的需求，使英伟达成为市值最高的公司之一。该研究警告称，将LPDDR重新分类为AI数据中心的核心组件是一场供应链难以轻易适应的动荡。 

Counterpoint发布的研究显示，这一转变在半导体行业造成了困境，芯片制造商难以决定是专注于制造更多的LPDDR产能（这可能会加剧其他领域的短缺），还是优先生产HBM以满足AI加速器的需求。研究揭示，这两个决定都对全球内存市场构成了风险。 

DRAM和LPDDR短缺威胁云基础设施成本上升

根据该研究，LPDDR需求的增加预计将在2026年底之前导致服务器内存价格翻倍。该研究指出，云提供商、AI开发人员和超大规模企业将面临直接影响，但他们已经在努力应对与GPU和电力基础设施升级相关的不断上升的成本。 

美光、SK海力士和三星已经投资于高带宽和先进DRAM生产能力。转向LPDDR意味着需要新的制造商，该研究指出，这些制造商资本密集且需要多年的开发周期。值得注意的是，该行业在2023年后的内存低迷期间投资不足，导致半导体行业应对突然增加的AI驱动需求的能力有限。 

截至目前，英伟达股价已攀升至更高水平，年初至今涨幅约为35%，这得益于2025年AI支出结构的转变。该股票价格为 美国生产的芯片占全球比例不足 10%，而最先进的逻辑器件占比更低。Lutnick 估计，要达到全球供应量的至少 40%，需要约 5,000 亿美元的投资。彭博社 2025年上涨23%，交易价格为181美元，年初至今的交易区间为86.63美元至212.19美元。当前价格标志着该资产价格自年初以来翻倍后的短暂回调。该公司的市值目前为4.4万亿美元，使其成为全球市值最高的公司之一，超越了微软和谷歌。 

威刚（ADATA）还预测，DRAM价格将 继续 上涨，并持续到2026年底，消费者、企业和工业领域都将出现持续短缺。预计英伟达将于今日公布财报。