中国科学家采用新技术制造速度更快的用于人工智能设备的微芯片

中国科学家研发出一种新型超薄半导体材料，据称有助于制造速度更快、能效更高的微芯片。这些芯片将为设备上的人工智能应用提供动力。.

这种新型半导体材料厚度仅为0.7纳米。据《南华早报》报道，该材料的制造方法由中国科学院张光宇和北京大学刘凯辉领导的团队开发。这种新型芯片有望提升设备端人工智能应用的性能。

中国科学家利用二维材料替代硅用于人工智能芯片

研究人员已经解决了缩小传统硅芯片尺寸的一个主要障碍。随着tron设备尺寸的不断缩小，传统计算芯片逐渐达到其物理极限，从而影响了其性能。. 

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中国科学家致力于研究二维过渡金属二硫化物（TMDs），以期将其作为传统硅的替代品。这种材料的厚度差异相当显著，TMDs 的厚度仅为 0.7 纳米，而硅的厚度则为 5 至 10 纳米。.

此外，基于TMD的芯片功耗更低，且其tron 传输性能优于硅，这也是其另一优势。这使得它们成为下一代光子和tron芯片中超小型晶体管的更佳选择。.

凯辉告诉新华社记者，传统制造过程中经常会产生不纯的晶体，因为原子是在基底上逐层组装的。为了便于理解，可以把这个过程比作用砖砌墙。他说，

“这是由于晶体生长过程中原子排列不可控以及杂质和缺陷的积累造成的。”

指甲盖大小的芯片将拥有更强的计算能力

研究团队在制备过程中，像传统工艺一样，将第一层原子放置在衬底上。不同之处在于，他们将后续原子放置在晶体的第一层原子和衬底之间。.

这项新技术被称为“界面生长”，它确保每一层晶体的结构特性都完全由其下方的衬底决定。这也有助于防止缺陷在某一点的积累，并提高结构精度。.

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根据北京大学网站的信息，该研究实现了每分钟50层晶体层的形成速率。该技术最多可形成15000层晶体层。.

该大学表示，每一层中的原子排列都经过精确控制，彼此完美平行。所制备的晶体采用符合国际标准的材料制成，例如二硫化钼、二硫化铌等。研究人员称，所有这些材料均符合集成电路材料的全球标准。.

刘教授表示，这些二维晶体与其他晶体管材料结合使用，能够提升芯片集成度。晶体管密度可以大幅提高，从而增强计算能力，而且这一切都可以在指甲盖大小的微芯片上实现。.