Photo de Samsungtrondevrait commencer les livraisons de sa mémoire haute bande passante de nouvelle génération, la HBM4, d'ici la fin du mois. Selon des sources industrielles bien informées, ces livraisons devraient intervenir après les congés du Nouvel An lunaire.
Samsung Electronics tron également à devenir le premier fabricant de mémoire à commercialiser ce qui est largement considéré comme une puce révolutionnaire pour le calcul de l'IA, ont ajouté les sources.
L'entreprise prévoit de commencer à livrer la mémoire HBM4 à Nvidia dès la troisième semaine de février. Nvidia devrait l'utiliser dans sa plateforme d'accélération IA de nouvelle génération, Vera Rubin.
Samsung devrait commencer les livraisons de HBM4 ce mois-ci
Cette initiative marque un tournant pour Samsung, qui avait essuyé des interrogations et des critiques quant à sa compétitivité lors des précédentes générations de mémoire HBM. Avec la HBM4, Samsung ambitionne de combler son retard et même de devancer son principal concurrent, SK Hynix , qui avait pris une avance considérable dans le secteur grâce à la forte demande des centres de données dédiés à l'IA.
Selon un responsable du secteur, cette initiative offre à Samsung le redressement dont il avait tant besoin dans le secteur technologique.
La source industrielle a également mentionné qu'en étant la première à produire en masse la mémoire HBM4 la plus performante, l'entreprise bénéficie d'un avantage certain pour façonner le marché à sa guise.
Nvidia devrait dévoiler les accélérateurs Vera Rubin intégrant la mémoire HBM4 lors de sa conférence annuelle, la GTC 2026, qui devrait se tenir ce mois-ci. Samsung a indiqué que le calendrier des livraisons a été finalisé en concertation avec la feuille de route produit de Nvidia et les programmes de tests système en aval.
Outre la vitesse, l'approche technologique de Samsung concernant ce produit est également remarquable. Dès le départ, l'entreprise a prévu d'améliorer les normes établies par JEDEC, en adoptant la première combinaison du secteur : un procédé DRAM (1c) de sixième génération de classe 10 nanomètres avec une puce logique de 4 nanomètres produite selon ses propres limites.
De ce fait, la mémoire HBM4 de Samsung offre des vitesses de transfert de données d'environ 11,7 Gbit/s par seconde, ce qui est bien supérieur aux normes JEDEC de 8 Gbit/s.
Ce chiffre représente également une amélioration de 37 % par rapport à la norme et un gain de 22 % par rapport à la génération précédente HMB3E.
D'après les sources, la bande passante mémoire par pile atteint jusqu'à 3 téraoctets par seconde, soit environ 2,4 fois plus que son prédécesseur. De plus, sa conception à 12 niveaux permet une capacité allant jusqu'à 36 gigaoctets.
Avec sa future configuration à 16 disques, la capacité pourrait atteindre 48 Go, selon les estimations du secteur.
Des améliorations supplémentaires sont attendues avant la production en série
Malgré l'utilisation de procédés de pointe, Samsung a réussi à obtenir un rendement stable avant même le lancement de la production de masse, et des améliorations supplémentaires sont attendues à mesure que la production augmentera, notent des sources industrielles.
Samsung a également évoqué l'efficacité énergétique, soulignant que la mémoire HBM4 est conçue pour optimiser les performances de calcul tout en réduisant la consommation d'énergie, ce qui permet aux centres de données de diminuer leur consommation d'électricité et leurs coûts de refroidissement.
L'entreprise prévoit que son volume de ventes de mémoire HBM cette année sera plus que triplé par rapport à l'année dernière et a décidé d'installer des lignes de production supplémentaires sur son site de Pyeongtaek (ligne 4) afin d'accroître sa capacité. Selon des sources industrielles, cette usine devrait produire environ 100 000 à 120 000 plaquettes par mois, destinées à la mémoire DRAM 1C utilisée dans les produits HBM4.
L'année dernière, Samsung avait déjà mis en place une capacité mensuelle d'environ 60 000 à 70 000 plaquettes pour le processus DRAM 1c.
Avec l'expansion prévue, la production totale de puces HBM4 (1c) pourrait atteindre environ 200 000 plaquettes par mois, représentant environ un quart de la capacité de production totale de DRAM de Samsung, qui est d'environ 780 000 plaquettes.
Le marché de la mémoire HBM4 devrait être dominé par Samsung et SK hynix, Micron Technology (États-Unis) étant déjà considérée comme hors course. Selon le tracde marché SemiAnalysis, SK hynix devrait capter environ 70 % du marché de la HBM4, tandis que Samsung se partagerait les 30 % restants.
