تخطط شركة SK Hynix، إحدى الشركات الكورية الجنوبية الرائدة في مجال توريد الذاكرة عالية النطاق الترددي، لاستثمار ما يقرب من 19 تريليون وون، أي ما يعادل 12.9 مليار دولار تقريبًا، في بناء مصنع لتغليف الرقائق في تشونغجو، مقاطعة تشونغتشونغ الشمالية (تشونغبوك).
بحسب الشركة، سيساهم المصنع الجديد في تلبية الطلب المتزايد على ذاكرة الذكاء الاصطناعي ودعم خطط الحكومة لتحقيق التوازن الاقتصادي. وأوضحت الشركة: "مع توقعات بنمو سنوي مركب بنسبة 33% لذاكرة النطاق الترددي العالي (HBM) بين عامي 2025 و2030، ازدادت أهمية الاستجابة الاستباقية للطلب المتزايد على هذه الذاكرة بشكل ملحوظ. وقد قررنا القيام بهذا الاستثمار الجديد لضمان استجابة مستقرة للطلب على ذاكرة الذكاء الاصطناعي."
وأشارت الشركة أيضاً إلى أن المناقشات الجارية حول الاستثمار الإقليمي قد أثرت في قرارها، مؤكدةً على وجاهة قرارها بتوزيع النمو خارج المدن الكبرى. ومن المقرر أن يبدأ المشروع في أبريل/نيسان، ومن المتوقع إنجازه بحلول نهاية عام 2027.
تأتي خطط الاستثمار هذه في أعقاب إعلان شركة SK Hynix عن افتتاح جناح عرض للعملاء في معرض Venetian Expo، حيث عرضت من الجيل التالي في معرض CES 2026 في لاس فيغاس.
وقالت الشركة: "تحت شعار "الذكاء الاصطناعي المبتكر، غد مستدام"، نخطط لعرض مجموعة واسعة من حلول الذاكرة من الجيل التالي المحسّنة للذكاء الاصطناعي، وسنعمل عن كثب مع العملاء لخلق قيمة جديدة في عصر الذكاء الاصطناعي"
سبق لشركة أشباه الموصلات أن أقامت جناحاً مشتركاً مع مجموعة SK وجناحاً خاصاً بالعملاء في معرض الإلكترونيات الاستهلاكية (CES). هذا العام، ستركز الشركة على جناح العملاء لتوسيع نطاق التواصل مع العملاء الرئيسيين ومناقشة فرص التعاون المحتملة.
تقول شركة إس كيه هاينكس إن المصنع الجديد سيعمل جنباً إلى جنب مع المنشآت الأخرى في تشونغجو
لشركة إس كيه هاينكس المرفق الجديد دورًا محوريًا في تغليف ذاكرة HBM وغيرها من منتجات الذاكرة المدعومة بالذكاء الاصطناعي. وبمجرد انتهاء المشروع، ستمتلك الشركة ثلاثة مراكز رئيسية متطورة للتغليف في إيتشون، وتشيونغجو، وويست لافاييت.
يضم مجمع تشونغجو التابع للشركة بالفعل العديد من المواقع الرئيسية، بما في ذلك مصنعي M11 وM12، ومصنع تصنيع أشباه الموصلات M15، ومرفق التغليف والاختبار P&T3. وتتوقع الشركة حتى الآن تكاملاً تشغيلياًtronبين مصنع M15X، المقرر أن يبدأ تحميل الرقائق بكميات كبيرة في فبراير، ومرفق التغليف P&T7 الذي سيتم إنشاؤه قريباً. وأوضحت أن تشونغجو ستدعم مراحل الإنتاج الكاملة لذاكرة NAND flash وDRAM وHBM بعد تشغيل مرفق P&T7.
وفي حديثها عن المشروع، أشارت شركة إس كيه هاينكس أيضاً إلى أنه "من خلال الاستثمار في مشروع تشونغجو بي آند تي 7، نهدف إلى تجاوز الكفاءة أو المكاسب قصيرة الأجل، وعلى المدى المتوسط إلى الطويل، تعزيز القاعدة الصناعية للبلاد والمساعدة في بناء هيكل تنمو فيه منطقة العاصمة والمناطق المحلية معاً"
كما تعمل سامسونج على توسيع طاقتها الإنتاجية لتقنية HBM
، المنافسة لشركة إس كيه هاينكس شركة سامسونج، أيضاً لتحسين قدرتها الإنتاجية من ذاكرة HBM. وأعلنت الشركة أنها تستعد لزيادة إنتاجها من ذاكرة HBM، مع خطط لزيادة الطاقة الإنتاجية بنحو 50% في عام 2026 لتلبية الطلب المتزايد من عميلها الرئيسي، شركة إنفيديا.
خلال مكالمة الأرباح التي عقدتها الشركة في أكتوبر الماضي، أوضحت شركة تصنيع الرقائق الإلكترونية في سوون خططها لتوسيع الإنتاج، مع نيتها إنشاء مواقع تصنيع جديدة. وقال كيم جاي جون، نائب رئيسdent أعمال الذاكرة في سامسونجtron، في ذلك الوقت: "نحن ندرس داخلياً إمكانية توسيع إنتاج ذاكرة HBM".
علاوة على ذلك، وبعد اجتماع رفيع المستوى عُقد في نوفمبر، أعلنت شركة تصنيع الرقائق الكورية الجنوبية عن خطط لاستثمار 41.5 مليار دولار في منشأة P5 في بيونغتايك، ومن المقرر أن تبدأ عملياتها في عام 2028. ويُعد هذا الإنفاق المُخطط له ضعف ما أنفقته سامسونج تقريبًا على مصانعها السابقة في بيونغتايك
والجدير بالذكر أن سامسونج أشارت أيضاً إلى أنها تتلقى دعماً إدارياً فعالاً لتسريع عملية بناء مجمع بيونغتايك (P5). في ذلك الوقت، وردت تقارير تفيد بأن الشركة تمضي قدماً في تطوير مجمع بيونغتايك (P6).
تتوقع شركة KB Securities حاليًا أن تزيد الشركة طاقتها الإنتاجية من ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) بتقنية P4 بحوالي 60,000 رقاقة شهريًا حتى الربع الثاني من عام 2026. وتشير تقارير أخرى إلى أنها تفوقت أيضًا على اختبارات Nvidia الداخلية لتقنية HBM من الجيل السادس (HBM4)، متجاوزةً بذلك شركتي SK Hynix وMicron لاستخدامها في معالجات Rubin. وقد تجاوز أداء HBM4 من الشركة المصنعة للرقائق التوقعات بسرعة 11 جيجابت في الثانية لكل طرف توصيل، متجاوزةً بذلك معيار Nvidia البالغ 10 جيجابت في الثانية.
