Компания SK Hynix, один из ведущих южнокорейских поставщиков высокоскоростной памяти, планирует инвестировать около 19 триллионов вон (приблизительно 12,9 миллиарда долларов) в строительство завода по упаковке микросхем в городе Чхонджу, провинция Северный Чхунчхон (Чхунбук).
По данным компании, новый завод поможет удовлетворить растущий спрос на память для ИИ и поддержит планы правительства по сбалансированию экономики. В компании поясняют: «Учитывая прогнозируемый среднегодовой темп роста рынка высокоскоростной памяти (HBM) в период с 2025 по 2030 год на уровне 33%, важность заблаговременного реагирования на растущий спрос на HBM значительно возросла. Мы приняли решение об этих новых инвестициях, чтобы обеспечить стабильное реагирование на спрос на память для ИИ».
Компания также упомянула, что продолжающиеся дискуссии о региональных инвестициях повлияли на ее решение, ясно дав понять, что она права в своем решении распространить рост за пределы крупных городов. Начало реализации проекта запланировано на апрель, а завершение ожидается к концу 2027 года.
Эти инвестиционные планы появились после объявления SK Hynix об открытии выставочного стенда для клиентов на выставке Venetian Expo, где компания представила свои нового поколения в области памяти на основе искусственного интеллекта на выставке CES 2026 в Лас-Вегасе.
Компания заявила: «Под девизом „Инновационный ИИ, устойчивое будущее“ мы планируем продемонстрировать широкий спектр решений для памяти нового поколения, оптимизированных для ИИ, и будем тесно сотрудничать с клиентами для создания новой ценности в эпоху ИИ»
Ранее компания, занимающаяся производством полупроводников, уже проводила совместную выставку с SK Group и участвовала в выставке с клиентом на CES. В этом году компания сосредоточится на стенде для клиентов, чтобы расширить контакты с ключевыми заказчиками и обсудить потенциальное сотрудничество.
Компания SK Hynix заявляет, что новый завод будет работать совместно с другими предприятиями в Чхонджу
SK Hynix Новый завод будет играть центральную роль в упаковке HBM и других продуктов памяти для искусственного интеллекта. После завершения проекта у компании будет три крупных центра передовой упаковки в Ичхоне, Чхонджу и Вест-Лафайетте.
На территории кампуса компании в Чхонджу уже расположены несколько крупных производственных площадок, включая заводы M11 и M12, завод по производству полупроводников M15 и цех упаковки и тестирования P&T3. На данный момент компания ожидаетtronоперационной синергии между заводом M15X, который должен начать массовую загрузку пластин в феврале, и строящимся цехом упаковки P&T7. Компания пояснила, что после ввода в эксплуатацию цеха P&T7 в Чхонджу будет обеспечено полное производство NAND-флэш-памяти, DRAM и HBM.
Комментируя проект, компания SK Hynix также отметила: «Благодаря инвестициям в проект Cheongju P&T7 мы стремимся выйти за рамки краткосрочной эффективности или выгоды и в среднесрочной и долгосрочной перспективе укрепить промышленную базу страны и помочь создать структуру, в которой столичный регион и местные районы будут развиваться вместе»
Samsung также расширяет свои производственные мощности по выпуску HBM-чипов
Конкурент SK Hynix, компания Samsung, также планирует увеличить свои производственные мощности по выпуску HBM-памяти. Фирма заявила, что готовится к наращиванию объемов производства HBM-памяти, планируя увеличить мощности примерно на 50% к 2026 году, чтобы удовлетворить растущий спрос со стороны своего главного клиента, компании Nvidia.
В ходе телефонной конференции по итогам финансового года в октябре прошлого года производитель микросхем из Сувона изложил свои планы по расширению производства, намереваясь построить новые производственные площадки. «Мы внутри компании изучаем возможность расширения производства HBM», — заявил тогда Ким Чжэ-джун, вице-dent Samsungtronпо бизнесу памяти.
Кроме того, после встречи на высоком уровне в ноябре южнокорейский производитель микросхем объявил о планах инвестировать 41,5 миллиарда долларов в завод P5 в Пхёнтеке, запуск которого запланирован на 2028 год. Эти запланированные расходы примерно вдвое превышают сумму, которую Samsung потратила на свои предыдущие заводы в Пхёнтеке
Примечательно, что Samsung также упомянула об активной административной поддержке, направленной на ускорение процесса строительства P5. В то время также сообщалось, что компания продвигается вперед с развитием кластера в Пхёнтеке, P6.
В настоящее время KB Securities прогнозирует, что компания увеличит свои мощности по производству DRAM на заводе P4 примерно на 60 000 пластин в месяц до второго квартала 2026 года. Кроме того, сообщается, что она также превзошла внутренние тесты Nvidia для HBM шестого поколения (HBM4), обогнав SK Hynix и Micron, используемые в процессорах Rubin. HBM4 от производителя чипов превзошла ожидания, обеспечив скорость 11 Гбит/с на контакт, что выше стандарта Nvidia в 10 Гбит/с.
